| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
| ·半导体激光器简介 | 第12-13页 |
| ·相关领域的研究现状 | 第13-23页 |
| ·GaAs 基近红外半导体激光器的研究挑战 | 第23-24页 |
| ·论文内容和结构 | 第24-25页 |
| 第二章 半导体激光器结构外延层设计 | 第25-71页 |
| ·边发射半导体激光器设计 | 第25-52页 |
| ·垂直腔表面发射激光器的设计 | 第52-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第三章 半导体激光器外延生长技术 | 第71-87页 |
| ·金属有机化合物气相外延和分子束外延 | 第72-75页 |
| ·研究型 MOVPE(Aixtron200/4)系统介绍 | 第75-77页 |
| ·外延片表征技术 | 第77-80页 |
| ·基本结构的外延层分析 | 第80-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第四章 半导体激光器制备工艺 | 第87-101页 |
| ·外延片清洗 | 第87-89页 |
| ·光刻技术 | 第89-91页 |
| ·刻蚀工艺 | 第91-94页 |
| ·湿法选择氧化技术 | 第94-97页 |
| ·欧姆接触 | 第97-98页 |
| ·半导体激光器制备工艺流程 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第五章 器件测试与分析 | 第101-121页 |
| ·边发射半导体激光器的变腔长测试 | 第101-103页 |
| ·GaAs/AlGaAs 量子阱边发射激光器 | 第103-107页 |
| ·GaAsP 量子阱宽波导半导体激光器 | 第107-109页 |
| ·InAlGaAs 量子阱非对称波导激光器 | 第109-114页 |
| ·高温工作 795nm VCSEL | 第114-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 第六章 总结与展望 | 第121-125页 |
| ·全文总结 | 第121-122页 |
| ·展望 | 第122-125页 |
| 参考文献 | 第125-129页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第129-131页 |
| 指导教师及作者简介 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133页 |