| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·磁约束核聚变及面向等离子体的器壁材料 | 第10-14页 |
| ·氢同位素在器壁材料中的沉积行为 | 第14-15页 |
| ·国内外研究进展 | 第15-23页 |
| ·氢同位素在铍中的沉积行为研究 | 第16-19页 |
| ·氢同位素在钼和钨中的沉积行为研究 | 第19-23页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第23-26页 |
| 第二章 基本理论和方法 | 第26-54页 |
| ·氢同位素在壁材料中的动态过程 | 第26-30页 |
| ·基本概念：溶解、束缚、扩散和复合 | 第26-28页 |
| ·实验数据：扩散系数和复合率 | 第28-30页 |
| ·离子注入 | 第30-33页 |
| ·离子辐射增强扩散效应 | 第30-31页 |
| ·材料的辐照损伤 | 第31-33页 |
| ·低能D-D核反应的厚靶产额 | 第33-42页 |
| ·阻止本领 | 第33-37页 |
| ·核反应截面 | 第37-41页 |
| ·核反应的积分产额 | 第41-42页 |
| ·氘浓度的离子束分析方法 | 第42-48页 |
| ·核反应分析 | 第42-45页 |
| ·弹性反冲核探测分析 | 第45-46页 |
| ·卢瑟福背散射分析 | 第46-48页 |
| ·固体中D-D核反应出射粒子能谱的模拟方法 | 第48-54页 |
| 第三章 实验设备和结果 | 第54-72页 |
| ·氘-氘核反应实验 | 第54-66页 |
| ·设备介绍 | 第54-58页 |
| ·探测器刻度 | 第58-60页 |
| ·实验描述 | 第60-63页 |
| ·D(d,p)T核反应出射粒子能谱 | 第63-66页 |
| ·弹性反冲核分析实验 | 第66-72页 |
| ·CIBA核显微分析终端 | 第66-68页 |
| ·靶室与探测器能量刻度 | 第68-70页 |
| ·实验参数及出射粒子能谱 | 第70-72页 |
| 第四章 数据分析和讨论 | 第72-102页 |
| ·利用厚靶产额分析动态饱和氘浓度 | 第72-78页 |
| ·饱和氘浓度及临界注量 | 第78-85页 |
| ·铍靶的饱和氘浓度与临界注量 | 第78-81页 |
| ·铝靶的饱和浓度与临界注量 | 第81-83页 |
| ·钨靶的饱和浓度与临界注量 | 第83-85页 |
| ·停束后监测产额的衰减 | 第85-88页 |
| ·动态平衡氘浓度与粒子能量 | 第88-91页 |
| ·动态平衡氘浓度与材料辐照损伤水平 | 第91-93页 |
| ·长期存放后氘的残留浓度 | 第93-97页 |
| ·弹性反冲粒子能谱解谱方法 | 第93-94页 |
| ·氘的残留浓度分析结果 | 第94-97页 |
| ·氘动态沉积行为的物理机制 | 第97-102页 |
| ·动态平衡氘浓度与静态残留氘浓度的对比：存在不稳定组分 | 第98-100页 |
| ·静态残留氘浓度与辐照损伤分布：陷阱的饱和性 | 第100-102页 |
| 第五章 总结与展望 | 第102-106页 |
| ·论文内容总结 | 第102-105页 |
| ·动态饱和浓度及其临界注量存在材料相关性 | 第102-103页 |
| ·动态平衡氘浓度与材料辐照损伤水平存在相关性 | 第103页 |
| ·离子注入时氘存在多种形式 | 第103-104页 |
| ·离子诱发的缺陷存在饱和值 | 第104-105页 |
| ·研究方向展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 攻读博士学位期间发表文章目录 | 第116-118页 |
| 简历 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 附录A 部分实验数据汇总 | 第122-126页 |
| 附录B 核反应能谱模拟程序 | 第126-156页 |