| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目次 | 第10-12页 |
| 1. 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·基于微机电系统技术(MEMS)的芯片光谱仪 | 第13-15页 |
| ·基于平面集成光学技术的芯片光谱仪 | 第15-23页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·基于平面集成波导光栅的芯片光谱仪 | 第16-18页 |
| ·基于微腔的芯片光谱仪 | 第18-21页 |
| ·基于光子晶体的芯片光谱仪 | 第21-23页 |
| ·本论文章节安排 | 第23-25页 |
| ·本论文主要创新点 | 第25-26页 |
| 2. 集成光波导基本理论及其数值模拟方法 | 第26-42页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·解析方法分析平板波导 | 第26-30页 |
| ·射线理论 | 第27-28页 |
| ·电磁波理论 | 第28-30页 |
| ·耦合模理论 | 第30-32页 |
| ·数值模拟方法 | 第32-42页 |
| ·有限元方法 | 第33-35页 |
| ·有限差分法 | 第35-38页 |
| ·束传播方法 | 第38-42页 |
| 3. 刻蚀衍射光栅的原理和设计仿真方法 | 第42-56页 |
| ·刻蚀衍射光栅的基本结构和工作原理 | 第42-44页 |
| ·一点法设计刻蚀衍射光栅 | 第44-46页 |
| ·刻蚀衍射光栅光谱仪主要性能指标及其与光栅结构参数之间的关系 | 第46-49页 |
| ·自由光谱范围 | 第46-47页 |
| ·光栅波长分辨率 | 第47页 |
| ·衍射级次 | 第47-48页 |
| ·角色散和线色散 | 第48页 |
| ·罗兰圆半径 | 第48-49页 |
| ·两点法设计刻蚀衍射光栅 | 第49-50页 |
| ·三点法设计刻蚀衍射光栅 | 第50-52页 |
| ·刻蚀衍射光栅数值仿真方法 | 第52-53页 |
| ·刻蚀衍射光栅基分立波长区间高分辨率芯片光谱仪设计举例 | 第53-56页 |
| 4. 氮氧化硅基刻蚀衍射光栅芯片光谱仪的设计、制作和测试 | 第56-95页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·氮氧化硅基刻蚀衍射光栅芯片光谱仪的设计 | 第57-63页 |
| ·氮氧化硅基刻蚀衍射光栅芯片光谱仪的关键制作工艺研究 | 第63-86页 |
| ·光刻工艺 | 第63-67页 |
| ·氮氧化硅二氧化硅薄膜PECVD沉积生长工艺 | 第67-72页 |
| ·氮氧化硅二氧化硅波导深刻蚀工艺 | 第72-86页 |
| ·氮氧化硅基刻蚀衍射光栅芯片光谱仪的工艺流程 | 第86-90页 |
| ·氮氧化硅基刻蚀衍射光栅芯片光谱仪测试与结果分析 | 第90-95页 |
| ·氮氧化硅基刻蚀衍射光栅光谱仪测试方法与装置 | 第90-91页 |
| ·氮氧化硅基刻蚀衍射光栅光谱仪测试结果与分析 | 第91-95页 |
| 5. 光电探测器集成刻蚀衍射光栅光谱仪 | 第95-117页 |
| ·前言 | 第95-96页 |
| ·MSM结构光电探测器原理 | 第96-100页 |
| ·光波导与光电探测器耦合结构 | 第100-103页 |
| ·光电探测器集成刻蚀衍射光栅芯片光谱仪设计 | 第103-105页 |
| ·光电探测器集成刻蚀衍射光栅芯片光谱仪制作工艺 | 第105-114页 |
| ·硅刻蚀 | 第105-108页 |
| ·平坦化 | 第108-110页 |
| ·探测器制作 | 第110-112页 |
| ·多步光刻 | 第112-114页 |
| ·光电探测器集成刻蚀衍射光栅芯片光谱仪性能测试与分析 | 第114-117页 |
| 6. 总结与展望 | 第117-119页 |
| ·总结 | 第117-118页 |
| ·展望 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-126页 |
| 作者简介 | 第126页 |
