| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·磁存储 | 第11-12页 |
| ·光存储 | 第12页 |
| ·半导体存储器 | 第12-14页 |
| ·闪存 | 第12-13页 |
| ·相变随机存取存储器 | 第13-14页 |
| ·相变存储材料的发现 | 第14页 |
| ·相变存储材料的存储机理 | 第14-15页 |
| ·相变存储材料的相变要求 | 第15-16页 |
| ·相变材料的种类 | 第16-17页 |
| ·GeSbTe 相变存储材料 | 第17-18页 |
| ·GeSbTe 的晶相结构 | 第18页 |
| ·GeSbTe 的非晶相结构 | 第18-19页 |
| ·国内外进展 | 第19-25页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第26-34页 |
| ·绝热近似（Born-Oppenheimer） | 第26-27页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第27-29页 |
| ·密度泛函理论（Density Functional Theory, DFT） | 第29-33页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第30-31页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第31-32页 |
| ·局域密度近似 | 第32-33页 |
| ·广义梯度近似 | 第33页 |
| ·其它方法 | 第33页 |
| ·VASP 代码 | 第33-34页 |
| 第三章 相变存储材料 GeSbTe 液相结构第一性原理研究 | 第34-50页 |
| ·构建 Ge_1Sb_2Te_4、Ge_2Sb_2Te_5、Ge_4Sb_1Te_5的晶胞 | 第34-36页 |
| ·收敛测试与结构优化 | 第36-39页 |
| ·K-points 测试 | 第36-37页 |
| ·截断能 Ecut off 测试 | 第37页 |
| ·结构优化 | 第37-39页 |
| ·利用分子动力学获得液相结构 | 第39-41页 |
| ·扩散性质 | 第41-44页 |
| ·局域结构性质 | 第44-48页 |
| ·键角分布 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 相变存储材料 Ge_2Sb_2Te_5非晶化第一性原理研究 | 第50-56页 |
| ·分子动力学模拟非晶化过程 | 第50-52页 |
| ·能量的变化 | 第52-53页 |
| ·对关联函数的变化 | 第53页 |
| ·热处理再晶化 | 第53-54页 |
| ·晶化过程的原子动态结构 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 相变存储材料 Ge_2Sb_2Te-5晶化第一性原理研究 | 第56-70页 |
| ·建立晶体模型和结构优化 | 第56页 |
| ·非晶化过程 | 第56-59页 |
| ·晶化过程 | 第59-60页 |
| ·温度和能量的变化 | 第60-62页 |
| ·键角分布函数 | 第62-63页 |
| ·对关联函数 | 第63-65页 |
| ·反常键与正常键 | 第65-67页 |
| ·电荷转移 | 第67页 |
| ·参与晶化的原子数 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
