| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·VO_X的晶体结构与基本物理性质 | 第13-18页 |
| ·钒-氧体系 | 第13页 |
| ·三氧化二钒（V_2O_3） | 第13-14页 |
| ·二氧化钒（VO_2） | 第14-17页 |
| ·五氧化二钒（V_2O_5） | 第17-18页 |
| ·VO_X的掺杂 | 第18-19页 |
| ·VO_X（或掺杂 VO_X）薄膜及其制备方法 | 第19-22页 |
| ·纳米结构 VO_X薄膜及其应用研究进展 | 第22-24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-27页 |
| ·选题依据 | 第24-25页 |
| ·主要研究内容 | 第25页 |
| ·本论文的内容安排 | 第25-27页 |
| 第二章 纳米 VO_X薄膜的制备与表征 | 第27-51页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·薄膜沉积设备 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射原理 | 第27-28页 |
| ·本文采用的磁控溅射镀膜设备 | 第28页 |
| ·薄膜生长与退火处理 | 第28-32页 |
| ·薄膜生长 | 第28-31页 |
| ·退火处理 | 第31-32页 |
| ·薄膜表征方法 | 第32-37页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第32页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第32-33页 |
| ·激光拉曼（Raman）光谱 | 第33-35页 |
| ·傅里叶（Fourier）变换红外光谱（FTIR） | 第35页 |
| ·椭圆偏振技术（SE） | 第35-36页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第36-37页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FE-SEM） | 第37页 |
| ·方阻值及电阻率测试 | 第37页 |
| ·纳米 VO_X薄膜的制备及性质 | 第37-49页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第37页 |
| ·薄膜的晶态分析 | 第37-38页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第38-40页 |
| ·薄膜的组分分析 | 第40-41页 |
| ·薄膜的 FTIR 分析 | 第41-42页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第42-43页 |
| ·薄膜的紫外-可见-近红外光谱 | 第43-45页 |
| ·薄膜的椭偏光学特性 | 第45-49页 |
| ·椭偏光学模型 | 第45-47页 |
| ·光频介电响应 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 工艺参数对相变型纳米 VO_X薄膜物理性质的影响 | 第51-69页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·衬底温度对 nano-VO_X薄膜物理性质的影响 | 第51-59页 |
| ·薄膜的晶态分析 | 第52页 |
| ·表面形貌 | 第52-54页 |
| ·薄膜表面的成分及价态分析 | 第54-55页 |
| ·薄膜的拉曼光谱分析 | 第55-56页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第56-57页 |
| ·薄膜的紫外-可见光-近红外光学性质 | 第57-59页 |
| ·氧含量对 nano-VO_X薄膜物理性质的影响 | 第59-68页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第59-60页 |
| ·薄膜的晶态分析 | 第60页 |
| ·薄膜的 FTIR 分析 | 第60-61页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第61-62页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第62-68页 |
| ·薄膜的折射率与消光系数 | 第62-63页 |
| ·薄膜的光频介电响应 | 第63-64页 |
| ·薄膜的反射率 | 第64页 |
| ·缺氧与富氧 VO_X薄膜的光电导率对比 | 第64-67页 |
| ·缺氧与富氧 VO_X薄膜的消光系数对比 | 第67页 |
| ·缺氧与富氧 VO_X薄膜的透过率对比 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 无相变纳米 V_2O_5-X薄膜的制备与特性研究 | 第69-82页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第70页 |
| ·薄膜的成分及价态分析 | 第70-71页 |
| ·薄膜的结晶状态 | 第71-72页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第72-74页 |
| ·薄膜的 FTIR 分析 | 第74-75页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第75-77页 |
| ·衬底温度对薄膜室温电阻率的影响 | 第75-76页 |
| ·衬底温度对薄膜室温导电激活能的影响 | 第76-77页 |
| ·薄膜的光学特性 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 纳米 VO_X薄膜在空气中的性质变化研究 | 第82-95页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·薄膜样品的制备与表征 | 第83-84页 |
| ·VO_X薄膜（Si_3N_4/Si 衬底）的电学特性 | 第84-87页 |
| ·VO_X薄膜（Si_3N_4/Si 衬底）的表面成分分析 | 第87-88页 |
| ·VO_X薄膜（KBr 衬底）的分子结构分析 | 第88-89页 |
| ·VO_X薄膜（玻璃衬底）的光学特性 | 第89-94页 |
| ·透过率随放置时间的变化 | 第89-91页 |
| ·VO_X薄膜的椭偏光谱特性 | 第91-94页 |
| ·新制、久置样品的 psi 和 delta 对比 | 第91页 |
| ·新制、久置样品的折射率和消光系数对比 | 第91-92页 |
| ·新制、久置样品的介电常数虚部对比 | 第92页 |
| ·VO_X薄膜（玻璃衬底）的表面成分分析 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 “三明治”结构钨掺杂 VO_X薄膜 | 第95-110页 |
| ·引言 | 第95-96页 |
| ·扩散理论 | 第96-98页 |
| ·VO_X/W/VO_X结构 | 第98-104页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第98页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第98-99页 |
| ·薄膜的结晶状态 | 第99-100页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第100页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第100-102页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第102-104页 |
| ·VO_X/WO_y/VO_X结构 | 第104-108页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第104页 |
| ·O_2/Ar 比值对薄膜物理性质的影响 | 第104-107页 |
| ·O_2/Ar 比值对薄膜电学性质的影响 | 第104-106页 |
| ·O_2/Ar 比值对薄膜光学性质的影响 | 第106-107页 |
| ·退火时间对薄膜电学性质的影响 | 第107-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 第七章 结论与展望 | 第110-113页 |
| ·全文工作总结 | 第110-111页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第111-112页 |
| ·展望 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-133页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第133-135页 |
