AlGaInP黄绿光LED内量子效率提高的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·发光二极管的发展及应用 | 第7-10页 |
| ·发光二极管的发展回顾 | 第7-9页 |
| ·发光二极管的应用 | 第9-10页 |
| ·AlGalnP LED发展现状及研究意义 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 LED材料生长的MOCVD工艺 | 第12-19页 |
| ·MOCVD概述 | 第12-13页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第13-15页 |
| ·MOCVD生长系统 | 第15-17页 |
| ·气体处理系统 | 第15页 |
| ·反应室系统 | 第15-16页 |
| ·尾气处理系统 | 第16-17页 |
| ·控制系统 | 第17页 |
| ·MO源材料 | 第17-19页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOCVD使用的源 | 第18页 |
| ·掺杂源 | 第18-19页 |
| 第三章 AlGaInP四元系发光二极管 | 第19-27页 |
| ·发光二极管的原理 | 第19页 |
| ·LED的相关参数 | 第19-20页 |
| ·外延层结构 | 第20-23页 |
| ·有源层 | 第23-27页 |
| 第四章 外延生长检测方法 | 第27-32页 |
| ·光致发光测试仪 | 第27-28页 |
| ·电化学C-V测量法 | 第28-29页 |
| ·X射线双晶衍射仪 | 第29-30页 |
| ·LED光色电参数综合测试仪 | 第30-32页 |
| 第五章 内量子效率的研究 | 第32-55页 |
| ·常规黄绿光AlGaInP LED | 第32-36页 |
| ·改变CART结构Al组份实验 | 第36-42页 |
| ·改变CART厚度实验 | 第42-46页 |
| ·插入SLs结构实验 | 第46-53页 |
| ·测试结果对比 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
