| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 导论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·半导体纳米体系材料能带结构的研究概述 | 第11-14页 |
| ·本论文研究的目的和思路 | 第14-17页 |
| 第2章 基本理论 | 第17-23页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·核壳模型和应变 | 第17-20页 |
| ·键长一键能机理和带隙关系 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 自平衡应变和SnO_2纳米晶和纳米线的带隙漂移 | 第23-30页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·理论模型 | 第24-26页 |
| ·结果和分析 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 ZnSe纳米晶带隙的外场调制：尺寸和温度效应 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30-32页 |
| ·理论模型 | 第32-34页 |
| ·结果和分析 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 Si纳米线带隙的形状效应 | 第39-48页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·理论模型 | 第40-43页 |
| ·结果和讨论 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第6章 总结和展望 | 第48-51页 |
| ·总结 | 第48-49页 |
| ·展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文及参与的科研项目 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |