p型Na：ZnO薄膜的制备及其表征
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·发光二极管和半导体激光器 | 第9页 |
| ·LED材料的发展历史 | 第9-10页 |
| ·ZnO作为光电子材料的研究现状 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第11-15页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第13页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第13-15页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第15-20页 |
| ·压电器件 | 第15页 |
| ·压敏器件 | 第15-16页 |
| ·气敏器件 | 第16-17页 |
| ·紫外光探测器 | 第17页 |
| ·太阳能电池 | 第17-18页 |
| ·发光器件 | 第18-19页 |
| ·其他应用 | 第19-20页 |
| ·p型ZnO薄膜的研究进展 | 第20-25页 |
| ·p型ZnO的掺杂理论 | 第20-21页 |
| ·Ⅴ族元素掺杂 | 第21-23页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族元素共掺 | 第23-24页 |
| ·Ⅰ族元素掺杂 | 第24-25页 |
| ·本文研究目的及研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 p-ZnO薄膜Ⅰ族元素掺杂机理研究 | 第27-40页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第27-29页 |
| ·理论计算模块及参数设置 | 第29-30页 |
| ·纯ZnO的电子结构 | 第30-34页 |
| ·Ⅰ族元素掺杂ZnO的理论研究 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 磁控溅射法制备p型Na:ZnO薄膜 | 第40-48页 |
| ·直流反应磁控溅射的原理 | 第40-42页 |
| ·直流反应磁控溅射的特点 | 第42-43页 |
| ·直流反应磁控溅射的过程 | 第43页 |
| ·实验设备 | 第43-44页 |
| ·实验制备过程 | 第44-46页 |
| ·靶材的制备 | 第44-45页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第45页 |
| ·薄膜制备过程 | 第45-46页 |
| ·ZnO薄膜性能测试 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 p型Na:ZnO薄膜的制备及性能研究 | 第48-78页 |
| ·Na:ZnO薄膜中元素成分分析 | 第48-50页 |
| ·Na掺杂量对Na:ZnO薄膜性质的影响 | 第50-61页 |
| ·改变Na掺杂量制备Na:ZnO薄膜 | 第50-51页 |
| ·Na掺杂量对Na:ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第51-54页 |
| ·Na掺杂量对Na:ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·Na掺杂量对Na:ZnO薄膜电学性能的影响 | 第55-58页 |
| ·Na掺杂量对Na:ZnO薄膜光学性能的影响 | 第58-61页 |
| ·衬底温度对Na:ZnO薄膜性质的影响 | 第61-70页 |
| ·改变衬底温度制备Na:ZnO薄膜 | 第61页 |
| ·衬底温度对Na:ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第61-64页 |
| ·衬底温度对Na:ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第64-65页 |
| ·衬底温度对Na:ZnO薄膜电学性能的影响 | 第65-67页 |
| ·衬底温度对Na:ZnO薄膜光学性能的影响 | 第67-70页 |
| ·氧气流量对Na:ZnO薄膜性质的影响 | 第70-77页 |
| ·改变氧气流量制备Na:ZnO薄膜 | 第70-71页 |
| ·氧气流量对对Na:ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第71-74页 |
| ·氧气流量对对Na:ZnO薄膜电学性能的影响 | 第74-76页 |
| ·氧气流量对对Na:ZnO薄膜光学性能的影响 | 第76-77页 |
| ·Na掺杂ZnO薄膜电学性能的稳定性 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-88页 |
| 硕期间发表和正在评审的论文和专利 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
