摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
本文缩写符号说明 | 第7-8页 |
第一章 引言 | 第8-13页 |
·高电荷态离子及其应用 | 第8-9页 |
·空心原子的形成和退激 | 第9-11页 |
·有关空心原子的"争议"和本文的主要内容 | 第11-13页 |
第二章 理论背景和模拟过程 | 第13-31页 |
·离子在金属表面之上的运动 | 第13-15页 |
·HCI在金属表面之上电荷交换的速率方程 | 第15-16页 |
·"共振俘获"过程(resonant capture,RC) | 第16-18页 |
·"共振失去"过程(resonant loss,RL) | 第18-20页 |
·"俄歇离子化"过程(Auger ionization,AI) | 第20页 |
·空心原子内壳层的退激过程 | 第20-21页 |
·"剥离"过程(peeling off,PO) | 第21-23页 |
·"旁馈"过程(side feeding,SF) | 第23-24页 |
·"抬升失去"过程(promotion loss,PL,或称continuum promotion) | 第24-25页 |
·模拟离子在表面之上运动时步长的选择 | 第25-26页 |
·离子在表面之下的运动 | 第26-29页 |
·离子在金属表面之下的电荷交换过程 | 第29页 |
·空心原子的时钟特性 | 第29-31页 |
第三章 结果与讨论 | 第31-45页 |
·电荷态变化时影响慢电子产额的因素 | 第31-33页 |
·入射速度变化时影响慢电子产额的因素 | 第33-34页 |
·Ar~(17+)离子在Au靶上发射的K_αX射线KL~x伴线谱 | 第34-45页 |
第四章 总结与展望 | 第45-46页 |
·总结 | 第45页 |
·展望 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
致谢 | 第48-49页 |
附录(原子单位) | 第49页 |