Pb~(q+)、Ar~(q+)在Ag、Au、Mo、Mica和SiO2表面上的溅射行为研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
1.引言 | 第8-12页 |
2.高电荷态重离子与固体表面相互作用机理 | 第12-20页 |
·相互作用过程 | 第12-14页 |
·理论模型 | 第14-20页 |
·库仑爆炸模型 | 第14-15页 |
·经典过垒模型 | 第15-17页 |
·电子缺陷模型 | 第17-20页 |
3.研究现状 | 第20-41页 |
·高电荷态离子的产生装置 | 第20-25页 |
·电子回旋共振离子源(ECR) | 第20-23页 |
·电子束离子源(EBIS) | 第23-24页 |
·电子束离子阱(EBIT) | 第24-25页 |
·常用实验技术 | 第25-31页 |
·静电荷态分析和能量传送损失测量 | 第26页 |
·电子计数器 | 第26-27页 |
·微量天平技术测量溅射产额 | 第27-28页 |
·表面捕获测量溅射产额 | 第28-29页 |
·高电荷态入射离子飞行时间二次离子质量光谱测定 | 第29-30页 |
·X射线测量 | 第30-31页 |
·前人的相关研究结果 | 第31-41页 |
·SHCI在固体中电荷平衡时间 | 第31-33页 |
·电荷态相关的能量损失 | 第33-34页 |
·电子发射 | 第34-36页 |
·X射线发射研究 | 第36-38页 |
·表面原子溅射 | 第38-40页 |
·势能在固体里的沉积 | 第40-41页 |
4.本实验装置及实验方法描述 | 第41-54页 |
·ECR离子源实验平台 | 第41-49页 |
·IMPCAS离子源简介 | 第41-43页 |
·LECR3 | 第43-45页 |
·分析磁铁 | 第45-46页 |
·束流聚焦与控制 | 第46页 |
·束流监测 | 第46-47页 |
·真空系统 | 第47-49页 |
·实验测量装置 | 第49-52页 |
·测量装置示意图 | 第49-50页 |
·测量设备 | 第50-52页 |
·靶材料制作及靶架介绍 | 第52页 |
·靶室及前期准备 | 第52-54页 |
5.实验结果与讨论 | 第54-68页 |
·溅射产额随入射角θ变化的分布 | 第54-60页 |
·Ag靶的入射角相关性 | 第54-55页 |
·Au靶的入射角相关性 | 第55页 |
·Mica靶的入射角相关性 | 第55-56页 |
·Mo靶的入射角相关性 | 第56-57页 |
·SiO_2靶的入射角相关性 | 第57-60页 |
·溅射产额的动能效应 | 第60-65页 |
·Ag靶的动能效应 | 第60-61页 |
·Au靶的动能效应 | 第61页 |
·Mica靶的动能效应 | 第61-62页 |
·Mo靶的动能效应 | 第62-63页 |
·SiO_2靶的动能效应 | 第63-65页 |
·溅射产额的势能效应 | 第65-68页 |
·Ag靶的势能效应 | 第65-66页 |
·Mica靶的势能效应 | 第66页 |
·SiO_2靶的势能效应 | 第66-68页 |
6.总结与展望 | 第68-69页 |
7.参考文献 | 第69-72页 |
8.致谢 | 第72页 |