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高速低功耗嵌入式SRAM研究与设计

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-17页
   ·课题来源及研究意义第7页
   ·SRAM设计技术发展趋势第7-13页
     ·SRAM低功耗设计第7-12页
     ·SRAM高速设计第12-13页
   ·存储器产品发展趋势第13-14页
     ·国外发达国家存储器发展动态第13-14页
     ·国内存储器发展现状第14页
   ·课题的主要工作及技术要点第14-15页
   ·论文章节组成第15-17页
第二章 SRAM电路设计第17-41页
   ·SRAM工作原理第17-21页
     ·SRAM结构第17-20页
     ·SRAM基本工作时序第20-21页
   ·SRAM存储单元的研究第21-25页
     ·SRAM存储单元的介绍第21-22页
     ·SRAM存储单元静态噪声容限第22-25页
   ·SRAM存储阵列布局第25-27页
     ·大容量存储阵列布局第25-26页
     ·低容量存储阵列布局第26-27页
   ·地址译码电路设计第27-31页
     ·静态CMOS逻辑第28-29页
     ·动态逻辑第29-31页
   ·敏感放大电路设计第31-34页
     ·电流镜型敏感放大器第32-33页
     ·交叉耦合型敏感放大器第33-34页
     ·锁存型敏感放大器第34页
   ·数据输出电路第34-35页
   ·位线预充电电路第35-36页
   ·Tracking机制第36-40页
     ·SRAM自复位原理第36-38页
     ·常规Tracking机制第38-39页
     ·时序裕量小的Tracking机制第39-40页
   ·本章小结第40-41页
第三章 512K SRAM设计第41-57页
   ·存储阵列布局第41页
   ·译码电路设计第41-45页
     ·行地址预译码电路设计第42-45页
     ·列地址译码电路设计第45页
   ·时序控制电路第45-46页
   ·数据输入输出电路设计第46-47页
     ·数据输入电路第46页
     ·数据输出电路第46-47页
   ·敏感放大电路设计第47-50页
   ·Tracking机制设计第50-55页
     ·类电流源存储单元和可复制存储单元设计第50-52页
     ·编程电路与开关选择电路设计第52-53页
     ·存储器架构第53-55页
   ·低功耗分析与设计第55-56页
     ·低功耗设计第55-56页
   ·本章小结第56-57页
第四章 SRAM仿真第57-65页
   ·前仿真流程与仿真工具环境设置第57-60页
     ·直流通路检查第57-58页
     ·HSIM精度与仿真速度的设置第58页
     ·前仿真分析第58-60页
   ·后仿真与仿真工具环境的设置第60-62页
     ·SRAM整体后性能仿真分析第60-62页
     ·仿真模型的建立第62页
   ·SRAM仿真矢量文件的生成第62-64页
     ·HSIM矢量文件的格式第62-63页
     ·Verilog生成矢量文件第63-64页
   ·功耗仿真结果第64页
   ·本章小结第64-65页
第五章 SRAM版图设计第65-73页
   ·整体布局(floor-plan)第65-66页
   ·信号线布局(signal-plan)第66-70页
     ·减少全局信号线第66页
     ·优化信号线的宽度和间距第66-68页
     ·导线延时优化方法第68-70页
   ·电源网络布局(power-plan)第70-71页
     ·存储单元电源线布局第70页
     ·字线驱动电路部分电源线布局第70-71页
     ·预译码电路部分电源线布局第71页
   ·版图验证第71页
   ·本章小结第71-73页
第六章 结束语第73-75页
   ·总结第73页
   ·展望第73-75页
致谢第75-77页
研究生期间发表的论文第77-79页
参考文献第79-82页
附录第82-83页

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