| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-24页 |
| ·VCSEL概述 | 第10-12页 |
| ·长波长VCSEL结构及其特性 | 第12-17页 |
| ·基本单元 | 第12-15页 |
| ·器件结构 | 第15-17页 |
| ·长波长VCSEL材料 | 第17-19页 |
| ·长波长VCSEL工艺 | 第19-21页 |
| ·长波长VCSEL问题和展望 | 第21-22页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 VCSEL材料的GSMBE生长及其表征 | 第24-48页 |
| ·MBE技术 | 第24-26页 |
| ·V90 GSMBE系统 | 第26-29页 |
| ·VCSEL材料的GSMBE生长 | 第29-33页 |
| ·生长温度控制 | 第29-30页 |
| ·GSMBE生长速率和材料组分的确定 | 第30-32页 |
| ·GSMBE材料掺杂 | 第32-33页 |
| ·VCSEL材料表征技术 | 第33-35页 |
| ·1.3μm VCSEL的DBR材料的GSMBE生长及其表征 | 第35-41页 |
| ·GaAs/AlAs DBR结构设计 | 第35-37页 |
| ·间断生长DBR | 第37-38页 |
| ·10对和30对GaAs/AlAsDBR的质量比较 | 第38-40页 |
| ·GaAs/AlAs DA DBR的GSMBE生长及表征 | 第40-41页 |
| ·1.3μm VCSEL的量子阱有源区的GSMBE生长及其表征 | 第41-46页 |
| ·InAsP/InGaAsP量子阱有源区结构设计 | 第41-43页 |
| ·GSMBE材料生长优化 | 第43页 |
| ·InAsP/InGaAsP多量子阱结构有源区材料的XRD及光谱表征 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 金属键合研究及其在VCSEL制作中的应用 | 第48-60页 |
| ·金属键合原理、工艺、表征和应用 | 第48-53页 |
| ·金属键合基本工艺和方法 | 第48-50页 |
| ·金属键合表征 | 第50-52页 |
| ·金属键合在光电器件中的应用 | 第52-53页 |
| ·低温Au-In-Au金属键合在VCSEL制作中的应用 | 第53-54页 |
| ·低温Au-In-Au金属键合实验步骤 | 第54页 |
| ·低温Au-In-Au金属键合在1.3μmVCSEL制作中应用实验 | 第54-59页 |
| ·实验方法 | 第54-55页 |
| ·实验结果与讨论 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 VCSEL制作工艺 | 第60-70页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·VCSEL有源区电致荧光器件制作 | 第61-63页 |
| ·制作工艺 | 第62-63页 |
| ·光电性能测试 | 第63页 |
| ·1.3μm VCSEL器件制作 | 第63-69页 |
| ·制作工艺流程 | 第63-67页 |
| ·器件性能测试 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| ·工作总结 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 发表论文及申请专利目录 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 作者简历 | 第81-82页 |
