| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-35页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·紫外和真空紫外同步辐射计量的发展 | 第13-20页 |
| ·电子储存环做初级标准源 | 第15-17页 |
| ·从初级标准源电子储存环获得传递标准 | 第17-20页 |
| ·世界上开展辐射计量研究的回顾 | 第20-31页 |
| ·开展辐射计量的储存环 | 第20-27页 |
| ·美国SURFⅡ和ALS | 第21-23页 |
| ·德国柏林BESSY PTB实验室 | 第23-27页 |
| ·用同步辐射开展辐射计量研究的几项关键技术 | 第27-31页 |
| ·低温电子置换辐射计(ESR) | 第27-30页 |
| ·PTB四晶单色仪光束线与低温置换辐射计结合进行高精度探测器校准 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 光谱辐射标准及计量光束线和实验站 | 第35-65页 |
| ·建立光谱辐射标准及计量光束线站的目的和意义 | 第35-36页 |
| ·合肥光源参数 | 第36-37页 |
| ·光谱辐射标准及计量光束线 | 第37-42页 |
| ·掠入射光束线(SGM) | 第37-40页 |
| ·正入射光束线(Seya) | 第40-42页 |
| ·光谱辐射标准及计量实验站 | 第42-64页 |
| ·反射率计 | 第42-46页 |
| ·电离室标准探测器 | 第46-47页 |
| ·气体的电离与激发 | 第47-50页 |
| ·VUV/EUV能区气体电离的特点 | 第50-51页 |
| ·VUV电离室结构及工作原理 | 第51-54页 |
| ·标准传递光源—氘灯定标系统 | 第54-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第三章 软X射线光束线定标电离室及真空差分系统的研制 | 第65-76页 |
| ·软X射线光束线定标工具—电离室 | 第65-72页 |
| ·电离室的结构设计 | 第65-67页 |
| ·真空系统设计及膜窗耐压测试 | 第67-68页 |
| ·电离室实验测试数据 | 第68-72页 |
| ·真空差分系统的研制 | 第72-75页 |
| ·真空差分系统的理论计算和结构设计 | 第72-73页 |
| ·测试结果与理论计算的比对 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第四章 光学元件性能测试产生误差因素研究 | 第76-84页 |
| ·光源稳定性的影响 | 第76-78页 |
| ·探测器误差因素 | 第78-80页 |
| ·光谱辐射标准及计量光束线参数优化 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第五章 计量线高次谐波的研究 | 第84-117页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·高次谐波抑制方法 | 第84-91页 |
| ·滤片滤除高次谐波 | 第85-87页 |
| ·有不同表面镀层材料的掠入射反射镜抑制高次谐波 | 第87-88页 |
| ·气体吸收池抑制高次谐波 | 第88-91页 |
| ·计量线的高次谐波研究 | 第91-101页 |
| ·5-30nm高次谐波的定量研究 | 第92-97页 |
| ·30-140nm高次谐波的定量研究 | 第97-100页 |
| ·E2V CCD对25-100nm高次谐波的研究 | 第100-101页 |
| ·滤片对计量线高级次的抑制研究 | 第101-110页 |
| ·5-30nm适当滤片滤除高次谐波定量研究 | 第102-105页 |
| ·不同厚度的Al滤片抑制高次谐波的定量研究 | 第105-108页 |
| ·114-140nm MgF_2窗抑制高次谐波的定量研究 | 第108-110页 |
| ·Mg和In滤片对高次谐波抑制的探索性研究 | 第110-111页 |
| ·本章总结 | 第111-114页 |
| ·5-30nm滤片抑制高次谐波效果 | 第111-112页 |
| ·30-140nm高次谐波的抑制情况 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-117页 |
| 第六章 测试结果的比较 | 第117-123页 |
| ·有无滤片抑制高次谐波测试结果的比较 | 第117-119页 |
| ·NSRL与BESSYⅡ测试结果的比较 | 第119-123页 |
| 第七章 总结与展望 | 第123-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第126-129页 |
| 致谢 | 第129页 |
