| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-47页 |
| ·集成电路的发展及其面临的问题 | 第12-15页 |
| ·低k材料的介电常数 | 第15-18页 |
| ·电介质材料及其极化 | 第15-17页 |
| ·降低介电常数的途径 | 第17-18页 |
| ·理想低k材料的基本特性 | 第18-22页 |
| ·低的介电常数 | 第19-20页 |
| ·热稳定性 | 第20页 |
| ·电学性能 | 第20-21页 |
| ·其它特性 | 第21-22页 |
| ·低k材料的发展及研究现状 | 第22-37页 |
| ·有机聚合物薄膜 | 第23-29页 |
| ·无机介质材料 | 第29-33页 |
| ·纳米多孔材料 | 第33-37页 |
| ·本论文的工作意义、研究目标和内容 | 第37-40页 |
| ·工作意义、研究目标 | 第37-38页 |
| ·研究内容 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-47页 |
| 第二章 薄膜制备工艺、微结构表征和性能测试 | 第47-64页 |
| ·低k薄膜的制备工艺 | 第47-53页 |
| ·常用的制膜方法 | 第47-49页 |
| ·溶胶、凝胶简介 | 第49-53页 |
| ·硅衬底表面的处理 | 第53页 |
| ·低k薄膜的测试及表征方法 | 第53-61页 |
| ·微结构 | 第53-54页 |
| ·比表面积和孔径分布的确定 | 第54-55页 |
| ·薄膜的化学键特性 | 第55页 |
| ·热稳定性分析 | 第55-56页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第56-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO_2薄膜 | 第64-90页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·实验方法 | 第65-66页 |
| ·样品制备 | 第65-66页 |
| ·参数表证 | 第66页 |
| ·溶胶、凝胶的影响因素 | 第66-70页 |
| ·水的剂量对溶胶-凝胶的影响 | 第67页 |
| ·不同pH值对凝胶时间的影响 | 第67-68页 |
| ·乙醇溶剂对溶胶-凝胶的影响 | 第68-70页 |
| ·薄膜的SEM表征 | 第70-76页 |
| ·溶胶pH值与所成薄膜表面形貌的关系 | 第70-73页 |
| ·改性处理对薄膜表面形貌的影响 | 第73-75页 |
| ·退火对薄膜形貌的影响 | 第75页 |
| ·AFM观察退火对形貌的影响 | 第75-76页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析 | 第76-81页 |
| ·表面改性和退火对化学键的影响 | 第77-79页 |
| ·清洗剂正己烷的作用 | 第79-81页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第81-85页 |
| ·介电常数 | 第81-83页 |
| ·漏电流密度 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第四章 模板法结合溶胶-凝胶技术 | 第90-117页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·模板技术简介 | 第91-95页 |
| ·模板物质的基本知识 | 第92-94页 |
| ·模板的作用机理 | 第94页 |
| ·模板法在制备低k多孔SiO_2薄膜方面的应用 | 第94-95页 |
| ·模板法制备SiO_2薄膜的微结构和化学结构特征 | 第95-104页 |
| ·SEM描述SiO_2薄膜表面形貌 | 第96-98页 |
| ·AFM表征SiO_2薄膜的形貌 | 第98-100页 |
| ·SiO_2薄膜化学键特性(FTIR分析) | 第100-104页 |
| ·模板法制备的SiO_2薄膜的电学特性 | 第104-110页 |
| ·介电常数 | 第104-107页 |
| ·薄膜的C-V和J-E特性 | 第107-110页 |
| ·模板法制备SiO_2薄膜的吸水性和热稳定性 | 第110-113页 |
| ·薄膜的吸水性 | 第110-111页 |
| ·薄膜的热稳定性 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-117页 |
| 第五章 氢氟酸作催化剂制备SiO_2：F薄膜 | 第117-148页 |
| ·引言 | 第117-118页 |
| ·实验方法 | 第118页 |
| ·含氟SiO_2：F薄膜的化学键特征 | 第118-124页 |
| ·SiO_2：F薄膜与SiO_2薄膜的FTIR光谱图比较 | 第118-121页 |
| ·HF用量对SiO_2：F薄膜FTIR光谱图的影响 | 第121-124页 |
| ·含氟SiO_2：F薄膜的电学特性 | 第124-135页 |
| ·SiO_2：F薄膜的介电常数 | 第124-126页 |
| ·SiO_2：F薄膜的C-V特性 | 第126-132页 |
| ·SiO_2：F薄膜的J-E特性 | 第132-135页 |
| ·含氟SiO_2：F薄膜的微结构特征 | 第135-143页 |
| ·XRD分析 | 第135-137页 |
| ·SEM和AFM分析 | 第137-139页 |
| ·N_2吸附/脱附研究 | 第139-141页 |
| ·SiO_2：F孔隙度与介电常数的关系 | 第141-143页 |
| ·本章小结 | 第143-145页 |
| 参考文献 | 第145-148页 |
| 第六章 结论与展望 | 第148-152页 |
| ·结论 | 第148-150页 |
| ·展望 | 第150-152页 |
| 博士在读期间所发表的部分论文 | 第152-153页 |
| 专利申请 | 第153-154页 |
| 致谢 | 第154页 |