| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·平板显示技术简介 | 第7-11页 |
| ·LCD 液晶显示器 | 第7-8页 |
| ·OLED 有机发光显示器 | 第8-10页 |
| ·其他平板显示技术简介 | 第10-11页 |
| ·低温多晶硅技术简介 | 第11-15页 |
| ·LPCVD 简介 | 第11-12页 |
| ·SPC 简介 | 第12页 |
| ·ELC 简介 | 第12-13页 |
| ·低温多晶硅技术的优点 | 第13-15页 |
| 第二章 目前多晶硅TFT 可靠性研究进展综述 | 第15-25页 |
| ·自加热（SH）退化机制 | 第16-19页 |
| ·SH 退化产生的原因 | 第16-17页 |
| ·SH 退化中的温度测量问题 | 第17-18页 |
| ·SH 退化中的恢复现象 | 第18-19页 |
| ·热载流子（HC）退化机制 | 第19-22页 |
| ·HC 退化模型 | 第19-20页 |
| ·HC 退化与SH 退化的比较 | 第20-21页 |
| ·交流HC 退化 | 第21-22页 |
| ·NBTI 退化机制 | 第22页 |
| ·一些特殊器件的退化现象 | 第22-23页 |
| ·本章结论 | 第23-25页 |
| 第三章 MILC 多晶硅技术和器件退化研究实验方法简介 | 第25-34页 |
| ·MILC 多晶硅技术简介 | 第25-27页 |
| ·非晶硅金属诱导晶化机理 | 第25-27页 |
| ·器件退化研究实验方法简介 | 第27-34页 |
| ·实验器件的工艺制备 | 第27-29页 |
| ·实验平台简介 | 第29-32页 |
| ·测量方法及应力条件 | 第32-34页 |
| 第四章 n 型TFT 直流热载流子退化研究 | 第34-47页 |
| ·实验结果与讨论 | 第34-42页 |
| ·HC 退化与栅极应力电压（Vg-stress）的关系 | 第34-35页 |
| ·HC 退化与漏极应力电压（Vd-stress）的关系 | 第35-37页 |
| ·HC 退化与应力时间（t-stress）的关系 | 第37-39页 |
| ·HC 应力后的退化恢复现象 | 第39-42页 |
| ·热载流子退化模型讨论 | 第42-44页 |
| ·本章结论 | 第44-47页 |
| 第五章 n 型TFT 直流自加热退化研究 | 第47-62页 |
| ·实验结果与讨论 | 第47-58页 |
| ·SH 退化与应力时间（t-stress）的关系 | 第47-50页 |
| ·SH 退化与漏极应力电压（Vd-stress）的关系 | 第50-52页 |
| ·SH 退化与栅极应力电压（Vg-stress）的关系 | 第52-54页 |
| ·SH 退化的恢复现象 | 第54-56页 |
| ·非典型SH 应力条件下的退化现象 | 第56-58页 |
| ·自加热退化模型讨论 | 第58-60页 |
| ·本章结论 | 第60-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 中文详细摘要 | 第71-73页 |
