| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-40页 |
| 1．1 薄膜材料的制备技术 | 第6-34页 |
| 1．1．1 物理气相沉积 | 第6-16页 |
| 1．1．1．1 利用载能离子的薄膜制备方法 | 第6-9页 |
| 1．1．1．2 利用电子束的薄膜制备方法 | 第9页 |
| 1．1．1．3 利用激光束的薄膜制备方法 | 第9-10页 |
| 1．1．1．4 真空蒸镀法 | 第10-16页 |
| 1．1．2 化学气相沉积 | 第16-23页 |
| 1．1．2．1 化学气相沉积(CVD)设备 | 第17页 |
| 1．1．2．2 化学气相沉积(CVD)分类 | 第17-23页 |
| 1．1．3 溶胶凝胶技术 | 第23-27页 |
| 1．1．3．1 溶液配制 | 第23-24页 |
| 1．1．3．2 基材清洗 | 第24页 |
| 1．1．3．3 镀膜方法 | 第24-26页 |
| 1．1．3．4 溶胶凝胶法的优缺点 | 第26-27页 |
| 1．1．4 溶液成膜法 | 第27-34页 |
| 1．1．4．1 化学反应沉积薄膜 | 第27-29页 |
| 1．1．4．2 电化学反应沉积薄膜 | 第29-30页 |
| 1．1．4．3 朗缪尔—布洛吉特法制备有机薄膜 | 第30-34页 |
| 1．2 金属氧化物薄膜的应用 | 第34-36页 |
| 1．2．1 平板显示器 | 第34-35页 |
| 1．2．2 低辐射窗 | 第35页 |
| 1．2．3 电致变色窗 | 第35页 |
| 1．2．4 光伏器件 | 第35-36页 |
| 1．2．5 其它 | 第36页 |
| 1．3 本文的研究目的、研究方法和预期结果 | 第36-40页 |
| 第二章 电热SnO_2薄膜的制备研究 | 第40-53页 |
| 2．1 制备玻璃基体SnO_2薄膜 | 第40-52页 |
| 2．1．1 制备溶胶—凝胶 | 第40-41页 |
| 2．1．2 应力缓解 | 第41-42页 |
| 2．1．3 凝胶干燥 | 第42-43页 |
| 2．1．4 基片涂敷 | 第43-45页 |
| 2．1．5 焙烧成膜 | 第45页 |
| 2．1．6 参数调整对比实验 | 第45-51页 |
| 2．1．7 成膜参数的确定 | 第51-52页 |
| 2．2 制备陶瓷基体SnO_2薄膜 | 第52-53页 |
| 第三章 电热SnO_2薄膜的性能研究 | 第53-66页 |
| 3．1 薄膜表面形貌 | 第53-58页 |
| 3．1．1 玻璃基体多元掺杂SnO_2薄膜的表面形貌 | 第53-55页 |
| 3．1．2 陶瓷基体多元掺杂SnO_2薄膜的表面形貌 | 第55-58页 |
| 3．2 薄膜组成元素分析 | 第58-60页 |
| 3．2．1 玻璃基体薄膜的组成元素分析 | 第58-59页 |
| 3．2．2 陶瓷基体薄膜的组成元素分析 | 第59-60页 |
| 3．3 薄膜结品状况分析 | 第60-62页 |
| 3．3．1 玻璃基体薄膜结晶状况分析 | 第60-61页 |
| 3．3．2 陶瓷基体薄膜结晶状况分析 | 第61-62页 |
| 3．4 薄膜厚度测量 | 第62-63页 |
| 3．5 薄膜附着力测量 | 第63页 |
| 3．6 薄膜方块电阻的测量 | 第63-66页 |
| 3．6．1 测玻璃基体表面薄膜方块电阻值 | 第64-65页 |
| 3．6．2 测陶瓷基体表面薄膜方块电阻值 | 第65-66页 |
| 第四章 实验总结 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 硕士阶段发表的论文 | 第68页 |