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瞬态电子碰撞激发类氖锗19.6nm x光激光的研究

摘要第1-8页
0 引言第8-13页
第一章 基本理论第13-29页
 1.1 激光产生等离子体以及激光的主要吸收机制第13-15页
 1.2 瞬态电子碰撞激发(TCE)机制第15-19页
 1.3 增益和饱和第19-22页
 1.4 群速度对x光激光增益系数的影响第22-23页
 1.5 X光激光在等离子体中的传播第23-26页
 1.6 辐射捕获效应和逃逸概率第26-29页
第二章 研究工作第29-54页
 2.1 瞬态电子碰撞激发X光激光的模拟第29-34页
 2.2 系列程序的检验第34-37页
 2.3 类氖锗19.6 nm TCE x光激光第37-42页
 2.4 倍频光驱动的类氖锗19.6nm TCE x光激光第42-45页
 2.5 基频光临界电子密度以上类氖锗19.6nm x光激光增益系数的研究第45-48页
 2.6 低预脉冲泵浦的瞬态电子碰撞激发第48-52页
 2.7 总结第52-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-58页

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