| 第一章 异质结双极晶体管(HBT) | 第1-37页 |
| 1．1 工作原理 | 第12-16页 |
| 1．1．1 同质结双极晶体管结构及原理 | 第12-13页 |
| 1．1．2 HBT的材料结构及原理 | 第13-16页 |
| 1．2 特性分析 | 第16-26页 |
| 1．2．1 HBT的I-V特性 | 第16-23页 |
| 1．2．2 HBT的频率特性 | 第23-26页 |
| 1．3 结构设计 | 第26-30页 |
| 1．3．1 发射区—基区异质结的设计 | 第27-28页 |
| 1．3．2 基区的设计 | 第28-29页 |
| 1．3．3 集电区的设计 | 第29-30页 |
| 1．4 材料与器件结构 | 第30-32页 |
| 1．4．1 单异质结双极晶体管(SHBT) | 第31页 |
| 1．4．2 双异质结双极晶体管(DHBT) | 第31-32页 |
| 1．4．3 倒置HBT | 第32页 |
| 1．5 HBT的制作工艺 | 第32-33页 |
| 1．6 HBT的器件模拟 | 第33-35页 |
| 1．6．1 模拟工具 | 第34页 |
| 1．6．2 复合系列模型 | 第34-35页 |
| 1．7 国内外GaAs基HBT的发展现状 | 第35-37页 |
| 第二章 AIGaAs／GaAs HBT外延材料与器件 | 第37-47页 |
| 2．1 简介 | 第37页 |
| 2．2 AlGaAs／GaAs突变结HBT | 第37-41页 |
| 2．2．1 生长AlGaAs／GaAs突变结HBT的材料结构 | 第37-38页 |
| 2．2．2 HBT的载流子纵向浓度分布 | 第38-39页 |
| 2．2．3 低温荧光检测HBT材料质量 | 第39-40页 |
| 2．2．4 器件的直流特性测试与分析 | 第40-41页 |
| 2．3 AlGaAs／GaAs缓变结HBT | 第41-46页 |
| 2．3．1 生长AlGaAs／GaAs缓变结HBT的材料结构 | 第41页 |
| 2．3．2 器件直流特性测试与分析 | 第41-42页 |
| 2．3．3 频率特性测试 | 第42-43页 |
| 2．3．4 采用Lehighton薄层电阻测试仪测试HBT均匀性 | 第43-44页 |
| 2．3．5 器件模拟 | 第44-46页 |
| 2．4 小结 | 第46-47页 |
| 第三章 InGaP／GaAs HBT外延材料与器件 | 第47-54页 |
| 3．1 简介 | 第47-49页 |
| 3．1．1 InGaP／GaAs HBT材料的优点 | 第47-48页 |
| 3．1．2 InGaP／GaAs HBT的研究进展 | 第48-49页 |
| 3．2 InGaP外延层的生长 | 第49-50页 |
| 3．2．1 InGaP外延层的PL谱 | 第49页 |
| 3．2．2 InGaP外延层的Hall测量结果 | 第49-50页 |
| 3．2．3 InGaP外延层的X-Ray双晶摇摆曲线 | 第50页 |
| 3．3 InGaP／GaAs HBT器件的初步研究 | 第50-53页 |
| 3．3．1 固态源分子束生长的InGaP／GaAs HBT外延材料结构 | 第50-51页 |
| 3．3．2 电化学C-V及二次离子质谱(SIMS)测试 | 第51-52页 |
| 3．3．3 采用Lehighton薄层电阻测试仪测试HBT均匀性 | 第52页 |
| 3．3．4 器件制备与直流特性 | 第52-53页 |
| 3．4 小结 | 第53-54页 |
| 第四章 GaAs／GaAsSb HBT外延材料与器件 | 第54-58页 |
| 4．1 简介 | 第54-55页 |
| 4．1．1 GaAs／GaAsSb HBT材料的优点 | 第54页 |
| 4．1．2 GaAs／GaAsSb HBT的研究进展 | 第54-55页 |
| 4．2 GaAsSb外延层的生长 | 第55页 |
| 4．3 GaAsSb／GaAs HBT器件的初步研究 | 第55-57页 |
| 4．3．1 AlGaAs／GaAsSb／GaAs DHBT外延材料结构 | 第55-56页 |
| 4．3．1 扫描电镜测试 | 第56页 |
| 4．3．2 器件制备与直流特性 | 第56-57页 |
| 4．4 小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第65-66页 |
| 附录 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
