| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·Al-Li系合金的开发与应用 | 第11-13页 |
| ·铝锂合金发展简史 | 第11-12页 |
| ·Al-Li合金的应用现状 | 第12-13页 |
| ·Al-Li二元合金的微观组织与强化机理 | 第13-14页 |
| ·Li的加入对合金的影响 | 第13页 |
| ·Al-Li合金的微观组织与强化机理 | 第13-14页 |
| ·Al-Cu二元合金的微观组织与强化机理 | 第14-18页 |
| ·Cu的加入对合金的影响 | 第14页 |
| ·Al-Cu合金沉淀产物与时效温度的关系 | 第14-15页 |
| ·铝铜合金沉淀相的析出过程及在此过程中机械性质的改变 | 第15-17页 |
| ·铝铜合金强化机制 | 第17-18页 |
| ·Al-Li-Cu合金的微观组织与强化机理 | 第18-21页 |
| ·Al-Li-Cu合金的微观组织 | 第18-20页 |
| ·Al-Li-Cu合金的强化机理 | 第20-21页 |
| ·本研究的目的和意义 | 第21-23页 |
| 第二章 固体与分子经验电子理论介绍 | 第23-40页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·基本概念 | 第23-25页 |
| ·EET理论的几个基本假设 | 第25-29页 |
| ·关于分子和固体中原子状态的假定 | 第25-26页 |
| ·关于不连续状态杂化的假定 | 第26-28页 |
| ·关于键距的假定 | 第28页 |
| ·关于等效价电子的假定 | 第28-29页 |
| ·键距差(BLD)法 | 第29-32页 |
| ·BLD法的基本思想 | 第29-30页 |
| ·BLD法 | 第30-32页 |
| ·键能和界面能的计算 | 第32-38页 |
| ·晶界与相界 | 第32-34页 |
| ·键能的计算 | 第34页 |
| ·异种原子共价键的键能的计算 | 第34-35页 |
| ·界面能的计算 | 第35-38页 |
| ·程氏理论(TFD理论) | 第38-40页 |
| 第三章 Al-Li合金相空间的电子结构计算 | 第40-51页 |
| ·Al-Li合金的强化机制对合金的作用 | 第40-41页 |
| ·基体的价电子结构计算 | 第41-42页 |
| ·Al-Li合金中主要析出强化相的价电子结构 | 第42-43页 |
| ·δ′(Al_3Li)相的晶体结构 | 第42-43页 |
| ·Al_3Li晶胞的价电子结构及键能 | 第43页 |
| ·Al-Li合金强化相的强化机制 | 第43-51页 |
| ·Al-Li合金的有序强化 | 第43-47页 |
| ·Al-Li合金的模量强化 | 第47-48页 |
| ·δ′(Al_3Li)相的表面强化 | 第48页 |
| ·Al-Li合金固溶和晶粒尺寸强化 | 第48-51页 |
| 第四章 Al-Li-Cu析出相的价电子结构 | 第51-64页 |
| ·Al-Cu合金析出序列的价电子分析 | 第51-56页 |
| ·各析出相与母相关系 | 第51-53页 |
| ·计算方法与结果 | 第53-56页 |
| ·讨论 | 第56页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·Al-Cu合金的异相界面电子结构 | 第56-60页 |
| ·界面 | 第56-57页 |
| ·各析出相与基体界面能的计算 | 第57-59页 |
| ·讨论 | 第59-60页 |
| ·Al-Li-Cu合金析出相的界面电子结构 | 第60-64页 |
| ·T_1(Al_2CuLi)相的模型 | 第60-62页 |
| ·Al_2CuLi／Al的界面电子结构 | 第62-63页 |
| ·讨论 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 附录一 杂化表的建造过程 | 第68-69页 |
| 附录二 原子状态杂化表 | 第69-71页 |
| 附录三 部分元素的屏蔽作用系数n，δ和b值 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第73页 |