| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-25页 |
| 1．1 介质薄膜的发展与应用 | 第12-14页 |
| 1．2 氧化钽介质膜的特性及应用 | 第14-16页 |
| 1．2．1 氧化钽薄膜的特性 | 第15页 |
| 1．2．2 氧化钽薄膜的应用 | 第15-16页 |
| 1．3 国内外氧化钽薄膜研究状况和进展 | 第16-23页 |
| 1．3．1 氧化钽薄膜的制备工艺 | 第16-18页 |
| 1．3．2 氧化钽薄膜的研究现状 | 第18-20页 |
| 1．3．3 应用前景 | 第20-23页 |
| 1．4 问题的提出及本文研究内容 | 第23-25页 |
| 1．4．1 问题的提出 | 第23-24页 |
| 1．4．2 本课题的研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 试验仪器与试验方法 | 第25-40页 |
| 2．1 溅射原理 | 第25-30页 |
| 2．1．1 磁控反应溅射法制备Ta2O5薄膜的原理 | 第25-27页 |
| 2．1．2 磁控溅射法的改进和发展 | 第27-29页 |
| 2．1．3 直流反应溅射的Schiller标准 | 第29-30页 |
| 2．2 中频交流磁控溅射设备的组装 | 第30-31页 |
| 2．3 试样的制备 | 第31-39页 |
| 2．3．1 试样的清洗 | 第32-33页 |
| 2．3．2 氧化钽薄膜的制备 | 第33页 |
| 2．3．3 金属－绝缘体－金属（MIM）电容结构的制备 | 第33-39页 |
| 2．4 主要的性能测试仪器 | 第39-40页 |
| 第三章 氧化钽薄膜的成分、结构和沉积特性 | 第40-57页 |
| 3．1 氧气含量对氧化钽薄膜O/TA原子比的影响 | 第40-46页 |
| 3．1．1 AES分析结果 | 第41-42页 |
| 3．1．2 XPS分析结果 | 第42-46页 |
| 3．2 TA2O5薄膜形貌和晶体结构的分析 | 第46-51页 |
| 3．2．1 氧化钽表面形貌 | 第47-48页 |
| 3．2．2 氧化钽薄膜组织结构 | 第48-51页 |
| 3．3 氧化钽薄膜的沉积特性 | 第51-56页 |
| 3．3．1 纯氧条件下薄膜的沉积特性 | 第52-53页 |
| 3．3．2 氧气含量对沉积特性的影响 | 第53-56页 |
| 3．4 本章小节 | 第56-57页 |
| 第四章 氧化钽薄膜的电学性能 | 第57-88页 |
| 4．1 电学性能测试方法及装置 | 第57-62页 |
| 4．1．1 测试方法的比较和选择 | 第57-59页 |
| 4．1．2 测试设备及装置 | 第59-62页 |
| 4．2 介电常数的概念及氧化钽薄膜的介电常数 | 第62-65页 |
| 4．2．1 介电常数 | 第62页 |
| 4．2．2 测试原理 | 第62-64页 |
| 4．2．3 测试结果 | 第64-65页 |
| 4．3 导电和击穿原理以及氧化钽薄膜的相应机制 | 第65-73页 |
| 4．4 I-V特性及分析研究 | 第73-82页 |
| 4．4．1 溅射气体中氧气含量对I-V特性的影响 | 第73-74页 |
| 4．4．2 上电极面积对I-V特性的影响 | 第74-78页 |
| 4．4．3 MIM的I-V曲线对称性 | 第78-79页 |
| 4．4．4 表面形貌对击穿强度和漏电流密度的影响 | 第79-82页 |
| 4．5 阳极氧化对薄膜性能的影响 | 第82-86页 |
| 4．5．1 阳极氧化装置及试样处理 | 第82-84页 |
| 4．5．2 阳极氧化结果的分析 | 第84-86页 |
| 4．6 本章小节 | 第86-88页 |
| 结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 致谢、声明 | 第94-95页 |
| 本人简历、研究成果 | 第95页 |