| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1．1 碳纳米管概述 | 第9-10页 |
| 1．2 碳纳米管的制备方法 | 第10-11页 |
| 1．2．1 电弧法 | 第10页 |
| 1．2．2 激光蒸发法 | 第10页 |
| 1．2．3 化学气相沉积法 | 第10-11页 |
| 1．2．4 模板法 | 第11页 |
| 1．3 碳纳米管的应用 | 第11-14页 |
| 1．3．1 高强度的纤维材料 | 第12页 |
| 1．3．2 微型化的电子开关 | 第12页 |
| 1．3．3 优良的场发射材料 | 第12-13页 |
| 1．3．4 良好的储氢材料 | 第13页 |
| 1．3．5 单向导热／隔热材料 | 第13页 |
| 1．3．6 超导材料 | 第13页 |
| 1．3．7 催化反应的促进剂 | 第13页 |
| 1．3．8 转变为金刚石 | 第13-14页 |
| 1．4 本课题研究的意义 | 第14-15页 |
| 第二章 CVD法制备碳纳米管的理论基础 | 第15-19页 |
| 2．1 概述 | 第15页 |
| 2．2 活性碳原子沉积在金属催化剂上长成碳管的机理 | 第15-16页 |
| 2．3 催化剂载体的作用 | 第16-17页 |
| 2．4 吸附分解 | 第17页 |
| 2．5 溶解扩散 | 第17-18页 |
| 2．6 催化裂解乙炔制碳纳米管的活化能 | 第18-19页 |
| 第三章 CVD法制备碳纳米管的工艺 | 第19-22页 |
| 3．1 CVD法的原理和特点 | 第19-20页 |
| 3．2 碳纳米管制备的工艺流程 | 第20-22页 |
| 第四章 Me／SiO_2的制备工艺研究 | 第22-30页 |
| 4．1 试验仪器和试剂 | 第22-23页 |
| 4．1．1 仪器 | 第22页 |
| 4．1．2 主要实验试剂 | 第22-23页 |
| 4．2 NiOOH／SiO_2的制备工艺研究 | 第23-26页 |
| 4．2．1 用正硅酸乙酯提供硅源改变不同配料比的比较 | 第23-24页 |
| 4．2．2 使用层析硅胶作硅源 | 第24-25页 |
| 4．2．3 使用硅溶胶作硅源 | 第25-26页 |
| 4．3 Co_2O_3／SiO_2的制备工艺 | 第26-27页 |
| 4．3．1 选用正硅酸乙酯作硅源 | 第26-27页 |
| 4．3．2 选用硅溶胶作硅源 | 第27页 |
| 4．4 Fe_O_3／SiO_2的制备工艺 | 第27-28页 |
| 4．4．1 选用正硅酸乙酯作硅源 | 第27-28页 |
| 4．4．2 选用硅溶胶作硅源 | 第28页 |
| 4．5 工艺条件的影响 | 第28-30页 |
| 4．5．1 工艺方法的影响 | 第28-29页 |
| 4．5．2 改变沉淀剂的影响 | 第29-30页 |
| 第五章 结果与讨论 | 第30-36页 |
| 5．1 用正硅酸乙酯提供硅源改变不同配料比的比较 | 第30-31页 |
| 5．2 采用不同硅源的比较 | 第31-33页 |
| 5．3 采用不同金属源的比较 | 第33页 |
| 5．4 工艺条件的影响 | 第33-36页 |
| 5．4．1 工艺方法的影响 | 第33-34页 |
| 5．4．2 改变沉淀剂的影响 | 第34页 |
| 5．4．3 对催化剂样品的分析 | 第34-36页 |
| 结论 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41页 |