| 目录 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| 第一节 SiO_2的结构及性质 | 第8-9页 |
| 第二节 杂质在Si中的扩散 | 第9-14页 |
| 第三节 杂质Ga掺杂方法与研究现状 | 第14-19页 |
| 第四节 B-Al涂层工艺、闭管扩镓工艺和开管扩镓工艺比较 | 第19-21页 |
| 第五节 负阻效应的研究现状 | 第21-23页 |
| 第二章 实验过程 | 第23-30页 |
| 第一节 实验仪器与材料 | 第23页 |
| 第二节 开管扩散系统 | 第23-26页 |
| 第三节 样品的制备 | 第26-28页 |
| 第四节 测试仪器与方法 | 第28-30页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第30-61页 |
| 第一节 扩镓管、扩硼管、镓硼晶体管I_c-V_(ce)的测量与负阻效应 | 第30-32页 |
| 第二节 影响低电流放大系数的主要因素 | 第32-38页 |
| 第三节 Ga在Si-SiO2结构近硅表面微区域中浓度分布的变化规律 | 第38-55页 |
| 第四节 模拟软件SUPREM-Ⅲ分析 | 第55-57页 |
| 第五节 扩镓基区晶体管负阻分析 | 第57-61页 |
| 第四章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 本人读研期间发表论文目录 | 第68页 |