第一章 引言 | 第1-11页 |
第二章 文献综述、论文工作背景及动机 | 第11-30页 |
·半导体激光器 | 第11-20页 |
·多量子阱与应变量子阱激光器 | 第14-16页 |
·量子级联激光器 | 第16-18页 |
·垂直腔面发射激光器 | 第18-20页 |
·半导体激光器的热特性 | 第20-26页 |
·半导体激光器的温度影响 | 第20-21页 |
·半导体激光器的热阻 | 第21页 |
·有限元法及其特点 | 第21-26页 |
·半导体激光器封装工艺 | 第26-28页 |
·工作背景及动机 | 第28-29页 |
·小结 | 第29-30页 |
第三章 半导体激光器热特性的有限元分析 | 第30-64页 |
·有限元软件介绍 | 第30-32页 |
·1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的有限元分析 | 第32-44页 |
·脊波导应变补偿多量子阱激光器结构和分析模型 | 第32-35页 |
·软件处理过程 | 第35-39页 |
·模拟结果和讨论 | 第39-44页 |
·量子级联激光器稳态热特性的有限元分析 | 第44-50页 |
·量子级联激光器的结构和分析模型 | 第44-46页 |
·模拟结果和讨论 | 第46-50页 |
·量子级联激光器的瞬态热特性的有限元分析 | 第50-58页 |
·激光器瞬态分析的模拟过程 | 第50-53页 |
·瞬态模拟结果和分析 | 第53-58页 |
·1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导激光器的瞬态分析 | 第58-61页 |
·器件结构和封装参数对半导体激光器热阻的影响 | 第61-62页 |
·小结 | 第62-64页 |
第四章 半导体激光器烧结工艺 | 第64-73页 |
·热沉的设计和加工 | 第64-66页 |
·真空热蒸发镀铟膜的工艺研究 | 第66-69页 |
·镀膜工艺流程 | 第66-68页 |
·镀膜工艺的关键参数 | 第68-69页 |
·激光器管芯的压焊工艺 | 第69-72页 |
·自行设计制作的压焊设备 | 第69-71页 |
·烧结工艺过程 | 第71-72页 |
·键合工艺 | 第72页 |
·小结 | 第72-73页 |
第五章 半导体激光器的测量和热特性分析 | 第73-86页 |
·半导体激光器脉冲测量表征系统 | 第73-75页 |
·InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱半导体激光器热特性表征 | 第75-81页 |
·基于脉冲I-P的激光器的热特性测试 | 第75-77页 |
·基于脉冲I-V测量的激光器热特性表征 | 第77-81页 |
·腔长对激光器热特性的影响 | 第81-83页 |
·衬底层朝下烧结对激光器散热的研究 | 第83-85页 |
·小结 | 第85-86页 |
第六章 结论 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-91页 |
附录 | 第91-92页 |
附录一: 发表的论文 | 第91-92页 |
附录二: 个人简历 | 第92页 |