| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| 1．1 调Q技术与材料 | 第9-11页 |
| 1．1．1 调Q技术简介 | 第9-10页 |
| 1．1．2 被动调Q材料 | 第10-11页 |
| 1．2 被动调Q的微片式激光器 | 第11-14页 |
| 第二章 Cr~（4+）:YAG晶体及其外延制备工艺 | 第14-28页 |
| 2．1 Cr~（4+）:YAG晶体概述 | 第14-17页 |
| 2．1．1 YAG晶体 | 第14-16页 |
| 2．1．2 Cr~（4+）:YAG晶体 | 第16-17页 |
| 2．2 Cr,Ca:YAG单晶薄膜的液相外延制备工艺 | 第17-28页 |
| 2．2．1 掺杂YAG单晶液相外延生长的一般性描述 | 第17-18页 |
| 2．2．2 熔剂的选择 | 第18-19页 |
| 2．2．3 石榴石相单晶液相外延的熔料配方 | 第19-20页 |
| 2．2．4 配料的纯度要求 | 第20页 |
| 2．2．5 液相外延设备简述 | 第20-22页 |
| 2．2．6 石榴石相单晶的液相外延工艺 | 第22-24页 |
| 2．2．7 外延衬底基片的制备与清洗 | 第24-26页 |
| 2．2．8 外延层性能参数的测试 | 第26-28页 |
| 第三章 Cr~（4+）:YAG晶体中Cr~（4+）中心能级结构的晶体场分析 | 第28-37页 |
| 3．1 Cr,Ca:YAG的光谱特性 | 第28-30页 |
| 3．2 Cr~（4+）的能级分裂 | 第30-32页 |
| 3．3 四面体格位Cr~（4+）的能级结构计算基本说明 | 第32-34页 |
| 3．4 计算结果与讨论 | 第34-37页 |
| 第四章 Cr,Cr:YAG的液相外延生长 | 第37-51页 |
| 4．1 熔料配方的选择 | 第37-38页 |
| 4．2 液相外延单晶的吸收谱的分析 | 第38-41页 |
| 4．2．1 液相外延的Cr,Ca:YAG单晶的吸收谱 | 第38-39页 |
| 4．2．2 Ca~（2+）、Cr~（3+）离子掺杂浓度与Cr~（4+）:YAG晶体的吸收光谱 | 第39-41页 |
| 4．2．3 退火对液相外延Cr~（4+）:YAG晶体的吸收光谱的影响 | 第41页 |
| 4．3 讨论 | 第41-49页 |
| 4．3．1 Cr~（3+）:YAG晶体的吸收光谱 | 第41-44页 |
| 4．3．2 Cr~（4+）的吸收光谱 | 第44-45页 |
| 4．3．3 Cr~（5+）的吸收光谱 | 第45-47页 |
| 4．3．4 Ca,Cr:YAG中CR~（4+）、Cr~（5+）的可能形成途径 | 第47-49页 |
| 4．4 液相外延Cr~（4+）:YAG对λ=1064nm激光的吸收性能 | 第49-51页 |
| 4．4．1 对λ=1064nm激光的饱和透过率T_s与初始透过率T_0及其差值ΔT | 第49-50页 |
| 4．4．2 液相外延晶体Ca,Cr:YAG中Cr~（4+）的浓度 | 第50-51页 |
| 第五章 Cr,Ca:YAG单晶薄膜的性能优化 | 第51-65页 |
| 5．1 概述 | 第51-52页 |
| 5．2 杂质离子的引入 | 第52-54页 |
| 5．3 吸收光谱的优化 | 第54-58页 |
| 5．4 单晶液相外延层晶体质量的优化 | 第58-61页 |
| 5．5 单晶液相外延参质量的微观缺陷分析 | 第61-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
