砷化镓光电导探测器的研制及其电子辐照改性
| 1 引言 | 第1-8页 |
| 2 晶体材料辐照效应基础 | 第8-21页 |
| ·辐照损伤研究的历史 | 第9-10页 |
| ·核反应堆材料研究 | 第9-10页 |
| ·晶体缺陷的研究 | 第10页 |
| ·辐照理论的研究 | 第10页 |
| ·辐照在晶体中产生缺陷的种类 | 第10-13页 |
| ·晶体中缺陷的种类 | 第10-11页 |
| ·晶体缺陷的形成及各种缺陷之间的相互作用 | 第11-13页 |
| ·辐射与物质的相互作用 | 第13-21页 |
| ·带电粒子与物质的相互作用过程 | 第14-15页 |
| ·带电粒子在物质中的能量损失 | 第15-17页 |
| ·带电粒子在物质中的射程 | 第17页 |
| ·电离效应和位移效应 | 第17-21页 |
| 3 半导体光电导探测器 | 第21-31页 |
| ·本征光电导探测器的工作原理 | 第21-24页 |
| ·半导体材料的光电性质 | 第24-31页 |
| ·砷化镓基本性质 | 第24页 |
| ·光电性质 | 第24-31页 |
| 4 砷化镓光电导探测器的工作原理 | 第31-33页 |
| 5 砷化镓光电导探测器的研制及实现 | 第33-38页 |
| ·探测器制作工艺 | 第33-35页 |
| ·探测器结构、外观 | 第35-38页 |
| ·双端GaAs探测器结构 | 第35-36页 |
| ·单端GaAs探测器结构 | 第36-38页 |
| 6 电子辐照改性实验 | 第38-44页 |
| ·辐照前后少数载流子寿命的测量 | 第38-42页 |
| ·测量原理 | 第38-39页 |
| ·测量结果 | 第39-41页 |
| ·结果分析 | 第41-42页 |
| ·辐照前后迁移率测量 | 第42-44页 |
| ·范德堡法原理和方法 | 第42-43页 |
| ·测量结果与分析 | 第43-44页 |
| 7 电子辐照前后探测器的I-V特性测试 | 第44-47页 |
| ·测量结果 | 第44-46页 |
| ·结果分析 | 第46-47页 |
| 8 电子辐照前后对X射线的探测及探测性能研究 | 第47-54页 |
| ·实验装置 | 第47-48页 |
| ·测量结果 | 第48-50页 |
| ·研究结果与讨论 | 第50-54页 |
| ·对探测器灵敏度的计算 | 第51页 |
| ·结果讨论 | 第51-54页 |
| 9 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 作者在校期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
