| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 一 简介 | 第6-11页 |
| ·饱和碳原子上S_N2 反应简介 | 第6-9页 |
| ·理论概况 | 第6-8页 |
| ·S_N2 反应中Nu 从背面进攻的理论解释 | 第8-9页 |
| ·影响S_N2 反应的因素 | 第9-11页 |
| ·底物的结构对S_N2 反应的影响 | 第9页 |
| ·离去基团对S_N2反应的影响 | 第9-11页 |
| 二 计算方法 | 第11-12页 |
| 三 结果与讨论 | 第12-25页 |
| ·反应物的优势构型 | 第13-15页 |
| ·取代基对过渡态N 原子上电子云密度的影响 | 第15-16页 |
| ·取代基对反应势垒的影响 | 第16-21页 |
| ·取代基对第一种反应通道势垒的影响 | 第17-18页 |
| ·取代基对第二种反应通道势垒的影响 | 第18-21页 |
| ·两种反应通道的比较 | 第21-22页 |
| ·过渡态TS_2 结构的C-I 变化规律 | 第22页 |
| ·过渡态TS_2 的C-I 键长变化值（％r_(C-I)~≠)与反应势垒的关系 | 第22-23页 |
| ·溶剂效应 | 第23-25页 |
| 四 结论 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 致谢 | 第30页 |