| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·显示器件的发展状况 | 第9-18页 |
| ·阴极射线管显示器CRT原理 | 第9-11页 |
| ·平板显示器件 | 第11-17页 |
| ·各种显示器件的比较 | 第17-18页 |
| ·场致发射显示技术研究进展 | 第18-21页 |
| ·本论文的研究方向的确定与研究内容及创新 | 第21-23页 |
| 第2章 场致发射理论基础 | 第23-35页 |
| ·场致发射现象 | 第23-24页 |
| ·以场致发射为基础的真空微电子器件的特点 | 第24-25页 |
| ·场致发射分类 | 第25-31页 |
| ·金属场致发射 | 第25-29页 |
| ·半导体场致发射 | 第29-31页 |
| ·内场致发射 | 第31页 |
| ·场致发射电子的能量分布和NOTTINGHAM效应 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 脉冲激光沉积理论基础 | 第35-41页 |
| ·纳秒脉冲激光沉积 | 第36-37页 |
| ·飞秒脉冲激光沉积 | 第37-40页 |
| ·飞秒脉冲激光沉积机理 | 第37-39页 |
| ·飞秒脉冲激光的特点 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 场致发射阴极阵列的制备 | 第41-57页 |
| ·实验微锥尺寸的确定 | 第41-42页 |
| ·场致发射阴极制备工艺流程 | 第42-43页 |
| ·倒微锥孔洞阵列的制备工艺 | 第43-44页 |
| ·聚合物微锥阵列的制备 | 第44页 |
| ·GaN薄膜场致发射阴极制备 | 第44-45页 |
| ·阴极材料结构和性能表征方法 | 第45-49页 |
| ·晶体结构测试 | 第45-46页 |
| ·形貌分析 | 第46-47页 |
| ·光学特性分析 | 第47-49页 |
| ·场致发射特性分析 | 第49页 |
| ·实验结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·GaN薄膜的晶体结构分析 | 第49-50页 |
| ·GaN薄膜的表面形貌特征分析 | 第50-51页 |
| ·GaN薄膜的光学特性分析 | 第51-53页 |
| ·涂覆GaN薄膜的聚合物微锥阵列显微图 | 第53-55页 |
| ·场发射性能 | 第55-56页 |
| ·GaN与聚合物结合及阴极的可折叠性研究 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57页 |
| ·未来工作展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士期间公开发表的文章 | 第63页 |