| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·透明半导体材料 | 第10-12页 |
| ·常见的透明半导体材料 | 第10页 |
| ·透明半导体材料光电原理 | 第10-12页 |
| ·铟锡氧化物(IN_2O_3/ITO)材料 | 第12-18页 |
| ·氧化铟锡材料的存在状态及性质 | 第12-13页 |
| ·铟锡氧化物应用 | 第13-15页 |
| ·氧化铟锡材料的制备方法及其对光电性能的影响 | 第15-18页 |
| ·铟锡氧化物的微观结构 | 第18-20页 |
| ·n型半导体和p型半导体 | 第18-19页 |
| ·铟锡氧化物晶体结构 | 第19页 |
| ·氧化铟的掺杂 | 第19-20页 |
| ·铟锡氧化物的表面 | 第20-23页 |
| ·ITO表面处理方法 | 第20-22页 |
| ·ITO各种表面处理方法对功函的影响 | 第22-23页 |
| 第二章 理论方法 | 第23-36页 |
| 引言 | 第23-24页 |
| ·量子力学基本假设 | 第24-26页 |
| ·状态函数和几率 | 第24-25页 |
| ·力学量和线性Hermite算符 | 第25-26页 |
| ·力学量的本征值和本征状态 | 第26页 |
| ·态随时间变化的Schr(o|¨)dinger方程 | 第26页 |
| ·Pauli互不相容原理 | 第26页 |
| ·密度泛函理论 | 第26-31页 |
| ·绝热近似 | 第27-28页 |
| ·Hatree-Fock近似 | 第28-29页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第30-31页 |
| ·几种常用的交换关联形式 | 第31页 |
| ·原子轨道正交化线性组合方法 | 第31-34页 |
| ·基组 | 第32-33页 |
| ·压缩高斯型基组 | 第33-34页 |
| ·赝势方法 | 第34页 |
| ·布里渊区 | 第34-36页 |
| 第三章 氧化铟锡材料表面性质及其与气体分子作用机制 | 第36-64页 |
| ·氧化铟锡表面模型 | 第36-54页 |
| ·氧化铟和氧化铟锡的晶体 | 第36-39页 |
| ·金属覆盖的(100)表面 | 第39-43页 |
| ·氧化的表面 | 第43-46页 |
| ·富氧表面 | 第46-48页 |
| ·实际表面 | 第48-51页 |
| ·表面掺杂位 | 第51-53页 |
| ·表面吸附位 | 第53-54页 |
| ·铟锡氧化物与H_2O分子作用机制 | 第54-60页 |
| ·H_2O分子在富铟表面和富氧表面上吸附机制 | 第54-55页 |
| ·H_2O分子在In_2O_3、ITO表面解离过程以及化学吸附 | 第55-57页 |
| ·H_2O在氧化铟和氧化铟锡表面连续解离吸附 | 第57-58页 |
| ·氢原子在表面的迁移 | 第58-59页 |
| ·水合表面电荷分布 | 第59-60页 |
| ·铟锡氧化物与NH_3分子作用机制 | 第60-61页 |
| ·铟锡氧化物表面与乙烯作用机制 | 第61-64页 |
| ·吸附构型 | 第61-63页 |
| ·吸附动力学:从物理吸附到化学吸附 | 第63-64页 |
| 第四章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
