基于氧化物半导体的薄膜晶体管
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-34页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·不同应用背景对TFT 技术的新需求 | 第11-18页 |
| ·新一代的平板显示技术 | 第11-13页 |
| ·TFT 在LCD 中的应用 | 第13页 |
| ·TFT 在SED 中的应用 | 第13-16页 |
| ·TFT 在OLED 中的应用 | 第16-17页 |
| ·柔性衬底上的TFT | 第17-18页 |
| ·TFT 技术领域发展现状 | 第18-22页 |
| ·基于各种不同半导体材料的TFT 技术比较 | 第18-21页 |
| ·选择氧化物半导体TFT 的意义 | 第21-22页 |
| ·论文研究目标和选题意义 | 第22页 |
| ·氧化物半导体TFT 研究现况综述 | 第22-30页 |
| ·ZnO TFT 技术 | 第22-25页 |
| ·氧化物半导体材料的选择 | 第25-28页 |
| ·In-Zn-O TFT 技术 | 第28页 |
| ·In-Zn-O TFT 技术 | 第28-29页 |
| ·其他氧化物半导体材料的TFT | 第29-30页 |
| ·研究方法和实验用设备 | 第30-32页 |
| ·论文的前期工作基础 | 第32页 |
| ·论文的主要内容和章节安排 | 第32-34页 |
| 第2章 ZNO TFT 的制备与研究 | 第34-65页 |
| ·TFT 的基本结构和工作原理 | 第34-37页 |
| ·ZNO TFT 器件的材料与结构设计 | 第37-40页 |
| ·ZnO 材料特点 | 第37页 |
| ·器件结构 | 第37页 |
| ·样品几何尺寸设计 | 第37-38页 |
| ·绝缘层设计 | 第38-39页 |
| ·电极材料 | 第39-40页 |
| ·ZNO TFT 的制备 | 第40-43页 |
| ·ZnO 靶材的烧制 | 第40-41页 |
| ·器件制作的工艺流程 | 第41-43页 |
| ·ZNO 膜层的结晶 | 第43-45页 |
| ·ZNO TFT 的工作特性 | 第45-60页 |
| ·ZnO 沉积工艺对器件特性的影响 | 第45-47页 |
| ·器件的转移特性 | 第47-49页 |
| ·器件的输出特性 | 第49-50页 |
| ·器件电特性的曲线拟和 | 第50-53页 |
| ·器件在扫描电压下的稳定性 | 第53-55页 |
| ·器件的耐压特性 | 第55-56页 |
| ·同一基片上器件的均匀性 | 第56-58页 |
| ·源漏电极与半导体层的接触势垒对器件特性的影响 | 第58-59页 |
| ·基于 ZnO 半导体的源-栅晶体管 | 第59-60页 |
| ·ZnO 半导体层的高温退火处理 | 第60-63页 |
| ·退火对器件性能的影响 | 第60-62页 |
| ·增加退火步骤后器件电特性的曲线拟和 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第3章 IN_2O_3 TFT 的制备与研究 | 第65-91页 |
| ·器件的材料设计和基本结构 | 第65-67页 |
| ·IN_2O_3 膜层的结晶 | 第67-68页 |
| ·底栅结构IN_2O_3 TFT 器件的制备 | 第68-70页 |
| ·In 靶的制作 | 第68页 |
| ·器件制作的工艺流程 | 第68-70页 |
| ·BI 层对IN_2O_3 TFT 电特性的影响 | 第70-75页 |
| ·底栅结构IN_2O_3 TFT 器件的电特性 | 第75-84页 |
| ·器件的转移特性及场致迁移率计算 | 第75页 |
| ·器件的输出特性 | 第75-77页 |
| ·同一基片上器件的均匀性 | 第77-79页 |
| ·器件特性随时间的变化 | 第79-81页 |
| ·不同绝缘层材料的底栅结构In_2O_3 TFT | 第81-84页 |
| ·顶栅结构IN_2O_3 TFT 器件的制备 | 第84-85页 |
| ·顶栅结构IN_2O_3 TFT 器件的电特性 | 第85-89页 |
| ·器件的转移特性和输出特性 | 第85-87页 |
| ·与底栅结构器件特性差异的原因 | 第87-89页 |
| ·器件特性的曲线拟合 | 第89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 第4章 结论 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第103页 |
