| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 非晶GAN薄膜的制备及性能 | 第12-80页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| ·GaN基半导体材料的研究概述 | 第12-19页 |
| ·GaN基材料的研究历史和应用领域 | 第12-14页 |
| ·GaN基材料的基本性质 | 第14-19页 |
| ·a-GaN薄膜的研究 | 第19-27页 |
| ·非晶半导体的研究概述和应用领域 | 第19页 |
| ·非晶半导体的结构 | 第19-20页 |
| ·非晶半导体的能带特征 | 第20-24页 |
| ·非晶半导体的导电模型 | 第24-26页 |
| ·a-GaN的研究历史 | 第26-27页 |
| ·GaN薄膜的制备方法 | 第27-29页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第27-28页 |
| ·分子束外延 | 第28页 |
| ·氢化物气相外延 | 第28-29页 |
| ·溅射 | 第29页 |
| ·本文的指导思想和研究内容 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 GaN材料的制备与表征 | 第33-49页 |
| ·材料的制备原理 | 第33-42页 |
| ·溅射概述 | 第33-37页 |
| ·溅射系统 | 第37-42页 |
| ·本文采用的实验设备 | 第42-43页 |
| ·溅射系统 | 第42-43页 |
| ·退火设备 | 第43页 |
| ·样品的表征方法 | 第43-47页 |
| ·X射线衍射 | 第43-44页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第44页 |
| ·拉曼光谱 | 第44-45页 |
| ·透射电子显微镜 | 第45页 |
| ·薄膜厚度和折射率的测量 | 第45页 |
| ·荧光分光光度计 | 第45-46页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第三章 a-GaN薄膜的制备与光学性质的研究 | 第49-77页 |
| ·a-GaN薄膜的制备与退火处理 | 第49-50页 |
| ·基片清洗 | 第49页 |
| ·薄膜的沉积 | 第49-50页 |
| ·退火处理 | 第50页 |
| ·a-GaN薄膜的结构与光学性质的研究 | 第50-54页 |
| ·X射线衍射分析 | 第50-52页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第52页 |
| ·傅立叶红外光谱分析 | 第52-53页 |
| ·室温光致发光谱 | 第53-54页 |
| ·a-GaN薄膜的紫外-可见光谱研究 | 第54-63页 |
| ·紫外-可见光谱 | 第54-61页 |
| ·消光系数和普通折射率: | 第61-63页 |
| ·Ar/N_2流量比对a-GaN薄膜性质的影响 | 第63-67页 |
| ·椭圆偏振光谱 | 第63-64页 |
| ·紫外-可见光谱 | 第64-67页 |
| ·基片温度对a-GaN薄膜性质的影响 | 第67-71页 |
| ·X射线衍射分析 | 第67-69页 |
| ·紫外-可见吸收光谱分析 | 第69-71页 |
| ·退火处理对薄膜光学性质的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第四章 结论与展望 | 第77-80页 |
| ·本文的主要结论 | 第77-78页 |
| ·下一步工作展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 碳纳米管的LB排布 | 第80-155页 |
| 第一章 绪论 | 第80-105页 |
| ·碳纳米管概述 | 第80-87页 |
| ·碳纳米管的研究历史 | 第80页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第80-83页 |
| ·碳纳米管的特性 | 第83-84页 |
| ·碳纳米管的主要应用 | 第84-87页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第87-89页 |
| ·碳纳米管的生长机理 | 第87-88页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第88-89页 |
| ·碳纳米管的有序排列与操控的研究现状 | 第89-98页 |
| ·过滤法 | 第90页 |
| ·等离子体辅助化学气相沉积法 | 第90-91页 |
| ·模版法 | 第91-92页 |
| ·力场、电场、磁场引导法 | 第92-94页 |
| ·自组装和表面功能化方法 | 第94-95页 |
| ·原子力显微镜或扫描隧道显微镜操纵法 | 第95-97页 |
| ·电纺丝技术 | 第97-98页 |
| ·Langmuir-Blodgget技术 | 第98页 |
| ·本文的选题背景和研究内容 | 第98-100页 |
| ·本文的选题背景 | 第98-99页 |
| ·本文的研究内容 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-105页 |
| 第二章 单壁碳纳米管的纯化与功能化 | 第105-127页 |
| ·样品的制备和测试 | 第105页 |
| ·样品的制备 | 第105页 |
| ·样品的结构表征与性能测试 | 第105页 |
| ·单壁碳纳米管的纯化 | 第105-115页 |
| ·碳纳米管的纯化概述 | 第105-107页 |
| ·单壁碳纳米管的纯化实验 | 第107-108页 |
| ·纯化结果讨论 | 第108-114页 |
| ·纯化机理分析 | 第114-115页 |
| ·单壁碳纳米管的剪切 | 第115-119页 |
| ·碳纳米管剪切的概述 | 第115页 |
| ·单壁碳纳米管的剪切实验 | 第115页 |
| ·剪切结果讨论 | 第115-119页 |
| ·碳纳米管的功能化 | 第119-123页 |
| ·功能化实验过程 | 第119-120页 |
| ·功能化结果讨论 | 第120-123页 |
| ·小结 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-127页 |
| 第三章 采用Langmuir-Blodgett技术对碳纳米管的排布 | 第127-152页 |
| ·Langmuir-Blodgett膜概述 | 第127-128页 |
| ·实验部分 | 第128-135页 |
| ·溶剂的选择与溶液的配制 | 第128-129页 |
| ·基片的处理 | 第129-131页 |
| ·采用LB装置制备取向排列的单壁碳纳米管薄膜 | 第131-135页 |
| ·结构与性能表征 | 第135页 |
| ·实验结果讨论 | 第135-148页 |
| ·碳纳米管排布模型的建立 | 第135-137页 |
| ·膜压-面积曲线分析 | 第137-140页 |
| ·影响LB膜的因素 | 第140-146页 |
| ·多层碳纳米管膜 | 第146-148页 |
| ·小结 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-152页 |
| 第四章 结论与展望 | 第152-155页 |
| ·本论文的主要结论 | 第152-154页 |
| ·下一步工作展望 | 第154-155页 |
| 在学期间的研究成果 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157页 |