| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题的研究背景 | 第7页 |
| ·国内外研究现状 | 第7-10页 |
| ·国外ZnO 压敏电阻片研究现状 | 第7-9页 |
| ·国内电阻片应用研究进展 | 第9-10页 |
| ·课题的实验方法的确定 | 第10-13页 |
| 第二章 ZnO 压敏电阻器结构性能及导电机理 | 第13-31页 |
| ·ZnO 压敏电阻器的结构 | 第13-15页 |
| ·晶体和电子结构 | 第13页 |
| ·能带结构 | 第13-15页 |
| ·ZnO 压敏电阻的电气性能 | 第15-20页 |
| ·ZnO 压敏电阻的电性能 | 第15-16页 |
| ·ZnO 压敏电阻器的性能参数 | 第16-20页 |
| ·ZnO 压敏电阻器的导电机理 | 第20-23页 |
| ·ZnO 压敏电阻器的晶相 | 第20-21页 |
| ·ZnO 的晶界势垒模型 | 第21-23页 |
| ·压敏电阻器蜕变老化机理 | 第23-27页 |
| ·ZnO 压敏电阻器的主要蜕变老化现象 | 第23-24页 |
| ·ZnO 压敏陶瓷的老化机理 | 第24-27页 |
| ·提高ZnO 压敏电阻电位梯度和能量耐受密度 | 第27-31页 |
| ·提高ZnO 压敏电阻片电位梯度和能量耐受密度的基础理论 | 第27-28页 |
| ·提高ZnO 压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力的主要途径 | 第28-31页 |
| 第三章 ZnO 压敏电阻粉体的制备和烧结理论 | 第31-39页 |
| ·传统固相法制备ZnO 压敏电阻器 | 第31页 |
| ·化学共沉淀法制备ZnO 压敏陶瓷粉体 | 第31-33页 |
| ·ZnO 压敏电阻的烧结和热处理 | 第33-39页 |
| ·液相烧结的基本原理 | 第33-34页 |
| ·ZnO 压敏陶瓷烧结过程中的液相传质机构 | 第34页 |
| ·ZnO 压敏陶瓷液相低温烧结研究动态 | 第34-35页 |
| ·ZnO 压敏电阻的热处理过程 | 第35-39页 |
| 第四章 ZnO 压敏电阻器的制备 | 第39-47页 |
| ·实验仪器设备 | 第39页 |
| ·压敏元件的制备 | 第39-41页 |
| ·固相法制备ZnO 压敏电阻器 | 第39-40页 |
| ·化学共沉淀法制备ZnO 压敏电阻器 | 第40-41页 |
| ·共沉淀实验中的具体问题 | 第41-47页 |
| ·对Mn、Co、Bi 三种元素的共沉淀 | 第41-42页 |
| ·K+的洗涤以及Mn、Co、Bi 元素含量的测定 | 第42-43页 |
| ·最优化共沉淀配方的确定 | 第43-47页 |
| 第五章 不同配方和工艺对元件性能的影响 | 第47-55页 |
| ·元件的性能测试 | 第47页 |
| ·Nd_2O_3 掺杂对元件性能的影响 | 第47-49页 |
| ·不同粉体制备工艺对元件性能的影响 | 第49-55页 |
| ·复合纳米添加剂的粒度测试 | 第49页 |
| ·粉体的XRD 衍射分析 | 第49-50页 |
| ·元件的SEM 扫描电镜测试 | 第50-51页 |
| ·共沉淀法对元件性能的影响的具体分析 | 第51-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 研究成果 | 第62-63页 |