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精密仪器中高可靠存储模块的设计与实现

中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·研究背景及意义第9-11页
   ·国内外研究现状第11-15页
     ·国外研究情况第11-13页
     ·国内研究情况第13-14页
     ·国外产品使用的先进技术第14-15页
   ·高可靠存储模块的需求分析第15-16页
   ·主要工作及技术目标第16页
   ·内容安排第16-17页
第二章 系统的总体方案设计第17-29页
   ·系统的体系结构设计第17-18页
   ·各组成部分的方案设计第18-28页
     ·接口方案的选择第18-19页
     ·高速缓冲存储器方案的设计第19-21页
     ·存储芯片的选型第21-23页
     ·FPGA 模块的逻辑功能划分第23-26页
     ·FPGA 的配置方案设计第26-27页
     ·电源管理模块设计第27-28页
   ·本章小结第28-29页
第三章 闪存阵列的排布结构设计第29-44页
   ·闪存阵列的设计目标第29页
   ·闪存芯片的性能分析第29-34页
     ·基本操作的速度分析与计算第29-31页
     ·单片最大写入速度的实现第31-34页
   ·提高闪存阵列读写性能的技术措施第34-37页
     ·并行扩展第34-35页
     ·流水线操作第35-37页
   ·并行闪存阵列排布结构方案设计第37-38页
   ·流水线操作下并行结构的性能分析第38-40页
   ·闪存阵列的电路设计第40-43页
     ·存储芯片的连接电路第40-42页
     ·存储芯片与FPGA 的连接第42-43页
   ·本章小结第43-44页
第四章 闪存阵列接口控制器设计第44-62页
   ·接口控制器在系统中的位置第44-45页
   ·接口控制器的外部连接第45-47页
     ·与Avalon 总线模块的连接第45-46页
     ·与闪存阵列的连接第46-47页
   ·接口控制器的结构分析第47-50页
     ·基本模块划分第47-48页
     ·主要寄存器的定义第48-50页
     ·基于分级操作的结构原理框图第50页
   ·基本功能模块的设计与实现第50-59页
     ·主控状态机第50-53页
     ·Flash_Reset 子模块第53-54页
     ·读Flash ID 子模块第54-55页
     ·Erase 擦除子模块第55-56页
     ·Program 编程子模块第56-57页
     ·Read 读取子模块第57-58页
     ·CBP 复制回写子模块第58-59页
     ·Status Read 状态查询子模块第59页
   ·Nios 控制闪存阵列接口控制器的流程第59-60页
   ·本章小结第60-62页
第五章 仿真与实验第62-70页
   ·流水线操作仿真第62-64页
     ·流水线编程操作第62页
     ·流水线擦除操作第62-63页
     ·流水线交替双片编程操作第63-64页
   ·时序综合特性报告第64-66页
     ·闪存接口控制器的综合特性第64-65页
     ·高可靠存储模块系统的综合特性第65-66页
   ·系统外特性测试与分析第66-69页
   ·本章小结第69-70页
第六章 总结与展望第70-72页
   ·主要研究成果第70页
   ·下一步工作的展望第70-72页
参考文献第72-74页
附录第74-75页
发表论文和科研情况说明第75-76页
致谢第76页

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