| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状与成果 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第2章 Power MOSFETs和同步Buck变换器 | 第14-30页 |
| ·Power MOSFETs的物理特性 | 第14-17页 |
| ·LDMOS | 第14-16页 |
| ·VMOS | 第16页 |
| ·UMOS | 第16-17页 |
| ·LDMOS的导通特性 | 第17-18页 |
| ·导通电阻 | 第17页 |
| ·体效应二极管 | 第17-18页 |
| ·LDMOS的开关特性 | 第18-20页 |
| ·电容 | 第18-19页 |
| ·其他动态元件 | 第19-20页 |
| ·Buck变换器的工作原理 | 第20-25页 |
| ·基本拓扑结构 | 第20-21页 |
| ·同步Buck变换器的连续工作模式 | 第21-24页 |
| ·非同步Buck变换器的非连续工作模式 | 第24-25页 |
| ·Power MOSFETs的导通和关断过程 | 第25-27页 |
| ·高端MOSFET的导通和关断过程 | 第25-26页 |
| ·低端MOSFET的导通和关断过程 | 第26-27页 |
| ·外部无源器件的参数选取 | 第27-30页 |
| ·电感的参数选取 | 第27-28页 |
| ·电容的参数选取 | 第28-30页 |
| 第3章 高压同步Buck变换器功率级电路的设计 | 第30-49页 |
| ·电感和电容参数的确定 | 第30-31页 |
| ·Power MOSFETs的设计 | 第31-33页 |
| ·Power MOSFETs的电气参数 | 第31-32页 |
| ·Power MOSFETs的开关过程 | 第32-33页 |
| ·自举电路的设计 | 第33-36页 |
| ·自举电路的需求分析 | 第33-34页 |
| ·自举充电电路的设计 | 第34-36页 |
| ·驱动电路的参数设计与验证 | 第36-41页 |
| ·驱动电路的传输迟延 | 第37-38页 |
| ·驱动电路的功耗 | 第38-39页 |
| ·驱动参数优化理论的验证 | 第39-41页 |
| ·电平位移电路的设计 | 第41-44页 |
| ·电平位移电路的需求分析 | 第41-42页 |
| ·Level-up电路 | 第42-43页 |
| ·Level-down电路 | 第43-44页 |
| ·死区时间的控制 | 第44-45页 |
| ·反向限流电路的设计 | 第45-49页 |
| ·反向限流的需求分析 | 第45页 |
| ·反向限流机制的设计 | 第45-46页 |
| ·反向限流比较器的设计 | 第46-49页 |
| 第4章 同步Buck变换器的损耗分析与效率验证 | 第49-58页 |
| ·损耗来源分析 | 第49-51页 |
| ·外部电感和电容的功率损耗 | 第49页 |
| ·高端MOSFET的功率损耗 | 第49-50页 |
| ·低端MOSFET的功率损耗 | 第50-51页 |
| ·同步Buck变换器的效率 | 第51页 |
| ·效率的仿真验证 | 第51-54页 |
| ·肖特基二极管对效率的改善 | 第54-55页 |
| ·反向限流对瞬态响应的影响 | 第55-56页 |
| ·整体工作特点的仿真验证 | 第56-58页 |
| 结论与未来的工作 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66页 |