ZnIn_2S_4负载贵金属光催化剂的制备及其芳香醇选择氧化反应性能研究

摘要第2-3页
abstract第3-8页
第一章文献综述第8-25页
    1.1前言第8-9页
    1.2光催化选择氧化反应研究背景第9-15页
        1.2.1芳香醇选择氧化研究情况第10页
        1.2.2光催化芳香醇选择氧化反应研究情况第10-12页
        1.2.3光催化选择氧化机理第12-15页
    1.3ZnIn2S4光催化剂发展现状第15-24页
        1.3.1ZnIn2S4的合成性质与合成方法第15-19页
        1.3.2ZnIn2S4的常用改进手段第19-23页
        1.3.3ZnIn2S4在光催化选择氧化反应的应用情况第23-24页
    1.4本课题的提出、创新性和研究内容第24-25页
第二章实验方法第25-33页
    2.1实验试剂及仪器第25-28页
        2.1.1实验试剂第25-26页
        2.1.2实验仪器第26-28页
    2.2材料物化性质表征第28-29页
        2.2.1结构分析XRD第28页
        2.2.2形貌分析SEM与TEM第28页
        2.2.3光学性质分析UV-vis-DRS第28-29页
        2.2.4表面分析XPS第29页
        2.2.5稳态荧光光谱PL第29页
        2.2.6电子顺磁共振ESR第29页
        2.2.7电感耦合等离子体质谱ICP-MS第29页
    2.3材料的光电性能表征第29-31页
        2.3.1实验装置第30页
        2.3.2薄膜光电极的制备第30页
        2.3.3瞬态电流-时间(i-t)第30页
        2.3.4电化学阻抗EIS第30页
        2.3.5Mott-Schottky曲线第30-31页
    2.4光催化芳香醇选择氧化反应性能评价第31-33页
        2.4.1反应活性评价第31-32页
        2.4.2反应活性探究第32-33页
第三章Au/ZnIn2S4、Pd/ZnIn2S4光催化剂的制备及其光催化选择氧化反应性能研究第33-43页
    3.1前言第33页
    3.2Au/ZnIn2S4、Pd/ZnIn2S4光催化剂的制备第33-35页
    3.3材料表征第35-41页
        3.3.1结构表征XRD第35页
        3.3.2形貌表征SEM与TEM第35-36页
        3.3.3光学性质分析UV-vis-DRS第36-37页
        3.3.4表面分析XPS第37-38页
        3.3.5荧光光谱PL第38-39页
        3.3.6光电性能表征第39-41页
    3.4苯甲醇选择氧化反应性能评价第41-42页
    3.5小结第42-43页
第四章Au-Pd/ZnIn2S4光催化剂的制备及其芳香醇选择氧化反应性能研究第43-64页
    4.1前言第43页
    4.2Au-Pd/ZnIn2S4光催化剂的制备第43-44页
    4.3材料表征第44-52页
        4.3.1结构表征XRD第44-45页
        4.3.2形貌表征SEM与TEM第45-47页
        4.3.4光学性能表征UV-vis-DRS第47页
        4.3.5表面分析XPS第47-49页
        4.3.6荧光光谱PL第49-50页
        4.3.7光电性能表征第50-52页
    4.4芳香醇选择氧化反应性能评价第52-59页
        4.4.1催化剂优化第52-53页
        4.4.2反应参数优化第53-57页
        4.4.3稳定性研究第57-59页
    4.5机理研究第59-62页
        4.5.1H2O2的测定第59页
        4.5.2自由基捕获第59-60页
        4.5.3活性自由基测定第60-62页
    4.6小结第62-64页
第五章晶面调控ZnIn2S4光催化剂探究第64-67页
    5.1前言第64页
    5.2光催化剂的制备(x-y:v-v第64页
    5.3ZnIn2S4表征第64-66页
        5.3.1XRD结构表征第64-65页
        5.3.2ZnIn2S4硫空位表征第65-66页
    5.4苯甲醇选择氧化活性结果第66页
    5.5小结第66-67页
第六章结论与展望第67-68页
参考文献第68-76页
攻读学位期间的研究成果第76-77页
致谢第77-78页

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