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InAs纳米线的可控生长及新型光电器件研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
目录第8-11页
第一章 绪论第11-38页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 纳米线的物理性质第12-15页
        1.2.1 量子限制效应第12页
        1.2.2 激射性质第12-13页
        1.2.3 光电导特性第13-14页
        1.2.4 化学传感特性第14-15页
        1.2.5 电子输运特性第15页
    1.3 InAs材料的基本性质第15-17页
    1.4 InAs纳米线生长的研究现状第17-22页
        1.4.1 金催化InAs纳米线的生长第17-18页
        1.4.2 自催化InAs纳米线的生长第18-20页
        1.4.3 无催化InAs纳米线的生长第20-22页
        1.4.4 InAs纳米线的液相生长第22页
    1.5 InAs纳米线光电器件的研究现状第22-27页
        1.5.1 InAs纳米线场效应管第22-24页
        1.5.2 InAs纳米线光电探测器第24-26页
        1.5.3 其他纳米线光电器件第26-27页
    1.6 本论文的研究工作第27-28页
    参考文献第28-38页
第二章 InAs纳米线生长技术及器件的制备工艺第38-57页
    2.1 InAs纳米线生长方法第38-42页
        2.1.1 InAs纳米线的生长机制第38-40页
        2.1.2 InAs纳米线的催化方式第40-41页
        2.1.3 InAs纳米线的生长技术第41-42页
    2.2 InAs纳米线的表征技术第42-48页
        2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)第42-44页
        2.2.2 透射电子显微镜(TEM)第44-47页
        2.2.3 聚焦离子束(FIB)第47-48页
    2.3 纳米线器件的制备工艺第48-53页
        2.3.1 光刻工艺第48-50页
        2.3.2 刻蚀工艺第50-52页
        2.3.3 沉积工艺第52-53页
    2.4 本章小结第53-54页
    参考文献第54-57页
第三章 InAs纳米线的可控生长第57-79页
    3.1 实验过程第57-58页
    3.2 基本概念第58-61页
        3.2.1 纳米线中的WZ与ZB结构第58-60页
        3.2.2 孪晶层错与堆垛层错第60-61页
    3.3 金催化InAs纳米线的制备第61-66页
        3.3.1 金催化InAs纳米线的形貌特征第61-63页
        3.3.2 金催化InAs纳米线的结构特性第63-66页
    3.4 自催化InAs纳米线的制备第66-72页
        3.4.1 自催化InAs纳米线的形貌特征第67-69页
        3.4.2 自催化InAs纳米线的结构特性第69-72页
    3.5 本章小结第72-74页
    参考文献第74-79页
第四章 InAs纳米线光电晶体管第79-98页
    4.1 InAs纳米线场效应管第79-85页
        4.1.1 器件制备与测试第79-83页
        4.1.2 晶体质量对器件迁移率的影响第83-85页
    4.2 InAs纳米线场效应管的光电响应第85-94页
        4.2.1 器件的负光导响应第86-88页
        4.2.2 负光导特性研究第88-94页
    4.3 本章小结第94-95页
    参考文献第95-98页
第五章 InAs纳米线光子神经形态器件第98-114页
    5.1 光子神经形态器件概述第98-104页
        5.1.1 器件研究背景第98-99页
        5.1.2 神经细胞的基本性质第99-103页
        5.1.3 光子神经形态器件的研究现状第103-104页
    5.2 InAs纳米线光子神经器件第104-109页
        5.2.1 神经形态器件的基本结构与测试方法第104-106页
        5.2.2 长期增强效应(LTP)的协同性模拟第106-108页
        5.2.3 成对脉冲易化(PPF)行为的模拟第108-109页
    5.3 本章小结第109-110页
    参考文献第110-114页
第六章 工作总结第114-116页
附录第116-117页
致谢第117-119页
攻读博士学位期间发表的学术论文第119-121页

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