InAs纳米线的可控生长及新型光电器件研究
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-38页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 纳米线的物理性质 | 第12-15页 |
1.2.1 量子限制效应 | 第12页 |
1.2.2 激射性质 | 第12-13页 |
1.2.3 光电导特性 | 第13-14页 |
1.2.4 化学传感特性 | 第14-15页 |
1.2.5 电子输运特性 | 第15页 |
1.3 InAs材料的基本性质 | 第15-17页 |
1.4 InAs纳米线生长的研究现状 | 第17-22页 |
1.4.1 金催化InAs纳米线的生长 | 第17-18页 |
1.4.2 自催化InAs纳米线的生长 | 第18-20页 |
1.4.3 无催化InAs纳米线的生长 | 第20-22页 |
1.4.4 InAs纳米线的液相生长 | 第22页 |
1.5 InAs纳米线光电器件的研究现状 | 第22-27页 |
1.5.1 InAs纳米线场效应管 | 第22-24页 |
1.5.2 InAs纳米线光电探测器 | 第24-26页 |
1.5.3 其他纳米线光电器件 | 第26-27页 |
1.6 本论文的研究工作 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-38页 |
第二章 InAs纳米线生长技术及器件的制备工艺 | 第38-57页 |
2.1 InAs纳米线生长方法 | 第38-42页 |
2.1.1 InAs纳米线的生长机制 | 第38-40页 |
2.1.2 InAs纳米线的催化方式 | 第40-41页 |
2.1.3 InAs纳米线的生长技术 | 第41-42页 |
2.2 InAs纳米线的表征技术 | 第42-48页 |
2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第42-44页 |
2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第44-47页 |
2.2.3 聚焦离子束(FIB) | 第47-48页 |
2.3 纳米线器件的制备工艺 | 第48-53页 |
2.3.1 光刻工艺 | 第48-50页 |
2.3.2 刻蚀工艺 | 第50-52页 |
2.3.3 沉积工艺 | 第52-53页 |
2.4 本章小结 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-57页 |
第三章 InAs纳米线的可控生长 | 第57-79页 |
3.1 实验过程 | 第57-58页 |
3.2 基本概念 | 第58-61页 |
3.2.1 纳米线中的WZ与ZB结构 | 第58-60页 |
3.2.2 孪晶层错与堆垛层错 | 第60-61页 |
3.3 金催化InAs纳米线的制备 | 第61-66页 |
3.3.1 金催化InAs纳米线的形貌特征 | 第61-63页 |
3.3.2 金催化InAs纳米线的结构特性 | 第63-66页 |
3.4 自催化InAs纳米线的制备 | 第66-72页 |
3.4.1 自催化InAs纳米线的形貌特征 | 第67-69页 |
3.4.2 自催化InAs纳米线的结构特性 | 第69-72页 |
3.5 本章小结 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
第四章 InAs纳米线光电晶体管 | 第79-98页 |
4.1 InAs纳米线场效应管 | 第79-85页 |
4.1.1 器件制备与测试 | 第79-83页 |
4.1.2 晶体质量对器件迁移率的影响 | 第83-85页 |
4.2 InAs纳米线场效应管的光电响应 | 第85-94页 |
4.2.1 器件的负光导响应 | 第86-88页 |
4.2.2 负光导特性研究 | 第88-94页 |
4.3 本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-98页 |
第五章 InAs纳米线光子神经形态器件 | 第98-114页 |
5.1 光子神经形态器件概述 | 第98-104页 |
5.1.1 器件研究背景 | 第98-99页 |
5.1.2 神经细胞的基本性质 | 第99-103页 |
5.1.3 光子神经形态器件的研究现状 | 第103-104页 |
5.2 InAs纳米线光子神经器件 | 第104-109页 |
5.2.1 神经形态器件的基本结构与测试方法 | 第104-106页 |
5.2.2 长期增强效应(LTP)的协同性模拟 | 第106-108页 |
5.2.3 成对脉冲易化(PPF)行为的模拟 | 第108-109页 |
5.3 本章小结 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-114页 |
第六章 工作总结 | 第114-116页 |
附录 | 第116-117页 |
致谢 | 第117-119页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第119-121页 |