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面向Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的设计与工艺探索

致谢第4-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-8页
1. 绪论第11-29页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 半导体激光器发展历史回顾第12-13页
    1.3 半导体激光器主要结构类型第13-17页
    1.4 可调谐半导体激光器第17-22页
    1.5 Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成第22-27页
    1.6 论文主要内容与创新点第27-29页
2. 混合集成激光嚣的基本原理第29-53页
    2.1 平板波导模式分析第29-31页
    2.2 布拉格光栅波导原理第31-41页
    2.3 半导体激光器物理基础第41-43页
    2.4 半导体激光器工作原理第43-47页
    2.5 超晶格多量子阱激光器第47-51页
    2.6 本章小结第51-53页
3. 激光器阵列的波导设计第53-64页
    3.1 设计思路第53页
    3.2 无源光栅的设计第53-59页
    3.3 有源波导的设计第59-62页
    3.4 无源波导与有源波导的耦合结构设计第62-63页
    3.5 激光器腔长设计第63页
    3.6 本章小结第63-64页
4. 激光器阵列工艺设计第64-78页
    4.1 工艺设备第64-67页
    4.2 无源硅波导与光栅制作工艺第67-68页
    4.3 键合工艺第68-70页
    4.4 有源Ⅲ-Ⅴ波导制作工艺第70-76页
    4.5 Ⅲ-Ⅴ波导工艺改进方法第76-77页
    4.6 本章小结第77-78页
5. 激光器阵列的制作与测试第78-88页
    5.1 掩膜版第78-79页
    5.2 无源硅波导制作与测试第79-82页
    5.3 Ⅲ-Ⅴ解离片与SOI的键合第82-83页
    5.4 Ⅲ-Ⅴ波导的制作第83-85页
    5.5 激光器阵列的测试第85-87页
    5.6 本章小结第87-88页
6. 总结与展望第88-89页
参考文献第89-97页
作者简历第97页
发表论文第97页

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