基于SiC MOSFET的纳秒级脉冲电源研制
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 纳秒脉冲电源的研究现状 | 第8-16页 |
| 1.2.1 传统开关型纳秒脉冲电源 | 第8-13页 |
| 1.2.2 高性能开关型纳秒脉冲电源 | 第13-16页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第16-18页 |
| 2 纳秒脉冲电源的主电路设计 | 第18-27页 |
| 2.1 单相全桥整流电路 | 第18-19页 |
| 2.2 直流供电电源电路 | 第19-20页 |
| 2.3 Marx发生器电路设计 | 第20-23页 |
| 2.4 纳秒脉冲电源主电路仿真 | 第23-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 高压固态开关的均压设计 | 第27-37页 |
| 3.1 串联开关电压不均衡原因分析 | 第27-32页 |
| 3.1.1 静态电压不均衡原因分析 | 第27页 |
| 3.1.2 动态电压不均衡原因分析 | 第27-32页 |
| 3.2 均压电路设计 | 第32-36页 |
| 3.2.1 静态均压电路设计 | 第32-34页 |
| 3.2.2 动态均压电路设计 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 硬件电路设计 | 第37-50页 |
| 4.1 驱动电路设计 | 第37-45页 |
| 4.1.1 正激式驱动电路 | 第37-39页 |
| 4.1.2 脉冲变压器驱动电路 | 第39-42页 |
| 4.1.3 半桥驱动式驱动方式 | 第42-44页 |
| 4.1.4 三种驱动方式对比 | 第44-45页 |
| 4.2 采样处理电路设计 | 第45-46页 |
| 4.3 硬件保护电路设计 | 第46-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 软件设计及样机实验 | 第50-61页 |
| 5.1 软件设计 | 第50-52页 |
| 5.2 样机实验 | 第52-60页 |
| 5.2.1 驱动电路测试 | 第52-57页 |
| 5.2.2 针-板反应器带载测试 | 第57-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录A 实验实物图 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
