| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-48页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第9-24页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构与性质 | 第9-12页 |
| 1.1.2 石墨烯的制备 | 第12-22页 |
| 1.1.3 石墨烯的应用 | 第22-24页 |
| 1.2 氧化石墨烯概述 | 第24-31页 |
| 1.2.1 氧化石墨烯的结构与性质 | 第24-26页 |
| 1.2.2 还原氧化石墨烯的制备 | 第26-30页 |
| 1.2.3 氧化石墨烯的应用 | 第30-31页 |
| 1.3 黑磷概述 | 第31-38页 |
| 1.3.1 黑磷的结构与性质 | 第31-33页 |
| 1.3.2 黑磷的制备 | 第33-35页 |
| 1.3.3 黑磷的应用 | 第35-38页 |
| 1.4 本论文研究目的及主要内容 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-48页 |
| 第二章 基于RGO-OTS自组装异质结构的场效应晶体管的研究 | 第48-66页 |
| 2.1 引言 | 第48页 |
| 2.2 降低环境掺杂的方法 | 第48-51页 |
| 2.2.1 氮化硼封装 | 第48-49页 |
| 2.2.2 衬底的修饰 | 第49-51页 |
| 2.3 实验部分 | 第51-52页 |
| 2.3.1 氧化石墨烯的制备 | 第51页 |
| 2.3.2 衬底的修饰 | 第51页 |
| 2.3.3 RGO薄膜的制备 | 第51页 |
| 2.3.4 表征与测试 | 第51-52页 |
| 2.4 实验结果与讨论 | 第52-60页 |
| 2.4.1 OTS-RGO-OTS异质结构的表征 | 第52-55页 |
| 2.4.2 OTS修饰RGO的场效应器件 | 第55-60页 |
| 2.4.3 OTS修饰RGO的稳定性测试 | 第60页 |
| 2.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 第三章 基于氮掺杂石墨烯的场效应器件 | 第66-91页 |
| 3.1 引言 | 第66-67页 |
| 3.2 氮掺杂石墨烯的制备方法 | 第67-71页 |
| 3.2.1 化学气相沉积法 | 第67-68页 |
| 3.2.2 溶剂热法 | 第68页 |
| 3.2.3 后期热处理法 | 第68-71页 |
| 3.3 实验部分 | 第71-72页 |
| 3.3.1 氧化石墨烯的制备 | 第71页 |
| 3.3.2 BTF-GO/RGO的制备 | 第71页 |
| 3.3.3 OPD-GO/RGO和23DAP-GO/RGO的制备 | 第71-72页 |
| 3.3.4 表征与测试 | 第72页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第72-86页 |
| 3.4.1 BTF-GO/RGO的结构表征 | 第72-79页 |
| 3.4.2 BTF-GO/RGO的电学性能测试 | 第79-81页 |
| 3.4.3 OPD-GO/RGO的表征及电学性能测试 | 第81-83页 |
| 3.4.4 23DAP-GO/RGO的表征及电学性能测试 | 第83-86页 |
| 3.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第四章 常压CVD法制备高质量黑磷单晶 | 第91-106页 |
| 4.1 引言 | 第91-92页 |
| 4.2 实验部分 | 第92-93页 |
| 4.2.1 合金基底的制备 | 第92页 |
| 4.2.2 黑磷的CVD法制备 | 第92页 |
| 4.2.3 表征与测试 | 第92-93页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第93-101页 |
| 4.3.1 黑磷的结构表征 | 第93-98页 |
| 4.3.2 生长机制的研究 | 第98-101页 |
| 4.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 第五章 总结与展望 | 第106-109页 |
| 5.1 总结 | 第106-107页 |
| 5.2 问题与展望 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 在学期间公开发表论文及参加会议情况 | 第110页 |
