| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 OLED的发展历程及产业现状 | 第9-12页 |
| 1.3 OLED器件理论基础和工艺简介 | 第12-15页 |
| 1.3.1 OLED的发光原理 | 第12-13页 |
| 1.3.2 激子的形成及辐射 | 第13-14页 |
| 1.3.3 OLED器件的制备及测试 | 第14-15页 |
| 1.4 OLED中载流子高效注入的研究 | 第15-16页 |
| 1.4.1 空穴注入的研究 | 第15-16页 |
| 1.4.2 电子注入的研究 | 第16页 |
| 1.5 本论文的主要研究工作 | 第16-18页 |
| 第二章 复合空穴注入层MoO_3/Al/MoO_3对OLED性能影响的研究 | 第18-33页 |
| 2.1 前言 | 第18页 |
| 2.2 实验部分 | 第18-21页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器设备 | 第18-20页 |
| 2.2.2 实验所采用的OLED器件结构及其制备方法 | 第20-21页 |
| 2.3 c-HIL对OLED器件发光性能的影响及分析 | 第21-32页 |
| 2.3.1 OLED的发光性能 | 第21-22页 |
| 2.3.2 薄层Al的形貌表征及分析 | 第22-24页 |
| 2.3.3 c-HIL中薄层Al对其透过率的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.4 c-HIL对光输出的影响原因分析 | 第25-28页 |
| 2.3.5 薄层Al对注入层能级结构的影响分析 | 第28-29页 |
| 2.3.6 通过空间限制电流的计算来表征空穴注入层的空穴注入效率 | 第29-30页 |
| 2.3.7 利用阻抗测试和导电原子力显微镜表征空穴注入层的电阻 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 复合空穴注入层PEDOT:PSS-MoO_3对OLED性能影响的研究 | 第33-43页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验材料与仪器 | 第33-34页 |
| 3.3 c-HIL和发光器件的制备 | 第34-35页 |
| 3.4 c-HIL的表征与测试 | 第35-41页 |
| 3.4.1 c-HIL的形貌表征与分析 | 第35-37页 |
| 3.4.2 c-HIL的接触角分析 | 第37-38页 |
| 3.4.3 c-HIL中 Mo元素的价态分析 | 第38页 |
| 3.4.4 c-HIL的光学特性与分析 | 第38-39页 |
| 3.4.5 c-HIL表面功函数的测试分析 | 第39-40页 |
| 3.4.6 OLED器件阻抗谱分析 | 第40-41页 |
| 3.5 OLED器件的电致发光性能分析 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 复合电子传输层SnO_2/PEI在倒置OLED中的应用探究 | 第43-56页 |
| 4.1 前言 | 第43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 4.2.1 实验药品与材料 | 第43-44页 |
| 4.2.2 实验器件的制备 | 第44页 |
| 4.3 SnO_2薄膜的表征 | 第44-46页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第46-55页 |
| 4.4.1 SnO_2倒置发光器件的光电性能与分析 | 第46-47页 |
| 4.4.2 c-ETL对OLED器件发光性能的影响 | 第47-50页 |
| 4.4.3 OLED中c-ETL厚度的优化探究 | 第50-52页 |
| 4.4.4 发光层掺杂对OLED发光性能影响的探究 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第56-58页 |
| 全文总结 | 第56-57页 |
| 后续展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
