单分子电导理论计算的影响因素分析
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 分子电子学背景 | 第12-14页 |
| 1.2 分子电子学研究现状 | 第14-22页 |
| 1.2.1 实验研究现状 | 第14-19页 |
| 1.2.2 理论研究现状 | 第19-22页 |
| 1.3 金属—分子—金属结中电子输运的机理 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文工作的目的、设想和内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 2 计算方法和原理 | 第30-40页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第30-33页 |
| 2.1.1 理论简介 | 第30页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第30-31页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| 2.1.4 交换关联作用项的近似求解方法 | 第32-33页 |
| 2.2 非平衡态格林函数 | 第33-35页 |
| 2.3 自洽循环计算方法 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 3 外加偏压和泛函对优化的影响 | 第40-50页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 计算细节 | 第40-41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-46页 |
| 3.3.1 分子电子器件结构优化分析 | 第41-43页 |
| 3.3.2 分子电子器件的能级分析 | 第43-45页 |
| 3.3.3 分子电子器件的电导分析 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 4 电极间距对结构和电导的影响 | 第50-58页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 计算细节 | 第50-51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-56页 |
| 4.3.1 器件总能量与中央区域长度的关系 | 第51-53页 |
| 4.3.2 器件电导、能级与中央区域长度的关系 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 5 总结与展望 | 第58-60页 |
| 发表论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
