| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 半导体光催化剂光解水的原理 | 第11-12页 |
| 1.2 TiO_2光解水的原理 | 第12页 |
| 1.3 TiO_2改性技术 | 第12-13页 |
| 1.4 WO_3半导体的光催化材料 | 第13-14页 |
| 1.5 课题的目的及意义 | 第14-16页 |
| 第2章 实验设备与表征方法 | 第16-21页 |
| 2.1 实验所用仪器 | 第16-17页 |
| 2.2 实验测试方法 | 第17-21页 |
| 2.2.1 样品形貌测试 | 第17页 |
| 2.2.2 样品物象测试 | 第17-18页 |
| 2.2.3 样品的光谱分析测试 | 第18页 |
| 2.2.4 样品的Ⅳ分析测试 | 第18-19页 |
| 2.2.5 样品的光催化性能测试 | 第19-21页 |
| 第3章 TiO_2表面处理及光催化性能研究 | 第21-31页 |
| 3.1 实验部分 | 第21-22页 |
| 3.1.1 TiO_2纳米棒阵列的制备 | 第21页 |
| 3.1.2 TiO_2-TiCl_4和TiO_2-H_2O纳米棒阵列的制备 | 第21-22页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第22-30页 |
| 3.2.1 形貌表征 | 第22-25页 |
| 3.2.2 物象表征 | 第25-26页 |
| 3.2.3 禁带宽度表征 | 第26页 |
| 3.2.4 光电转换效率表征 | 第26-28页 |
| 3.2.5 光解水性能表征 | 第28-30页 |
| 3.3 小结 | 第30-31页 |
| 第4章 磁控溅射法和电化学沉积法制备WO_3薄膜及其光电化学性能 | 第31-44页 |
| 4.1 磁控溅射法制备WO_3薄膜 | 第31页 |
| 4.2 磁控溅射法制备WO_3薄膜的结果与讨论 | 第31-38页 |
| 4.2.1 形貌表征 | 第31-33页 |
| 4.2.2 物象表征 | 第33-35页 |
| 4.2.3 紫外-可见光吸收谱表征 | 第35-36页 |
| 4.2.4 Ⅳ分析 | 第36-38页 |
| 4.3 电化学沉积法制备WO_3薄膜 | 第38-39页 |
| 4.4 电化学沉积法制备WO_3薄膜的结果与讨论 | 第39-43页 |
| 4.4.1 形貌表征 | 第39-40页 |
| 4.4.2 物象表征 | 第40-41页 |
| 4.4.3 紫外-可见光吸收谱表征 | 第41-42页 |
| 4.4.4 Ⅳ分析 | 第42-43页 |
| 4.5 小结 | 第43-44页 |
| 第5章 TiO_2-WO_3纳米棒阵列的制备及其光催化性能研究 | 第44-59页 |
| 5.1 TiO_2-WO_3纳米棒阵列的制备 | 第44-46页 |
| 5.2 TiO_2-WO_3纳米棒阵列的性能测试 | 第46-51页 |
| 5.2.1 形貌表征 | 第46-47页 |
| 5.2.2 物象表征 | 第47-48页 |
| 5.2.3 紫外-可见光吸收谱表征 | 第48-49页 |
| 5.2.4 Ⅳ分析 | 第49-51页 |
| 5.3 TiO_2-TiCl_4-WO_3纳米棒阵列制备 | 第51页 |
| 5.4 TiO_2-TiCl_4-WO_3纳米棒阵列性能测试 | 第51-58页 |
| 5.4.1 形貌表征 | 第51-52页 |
| 5.4.2 物象表征 | 第52-53页 |
| 5.4.3 紫外-可见光吸收谱表征 | 第53-54页 |
| 5.4.4 Ⅳ分析 | 第54-56页 |
| 5.4.5 光解水性能表征 | 第56-58页 |
| 5.5 小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
