| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-30页 |
| 1.1 太赫兹及其特点 | 第18-20页 |
| 1.2 太赫兹技术的研究背景及其意义 | 第20-21页 |
| 1.3 太赫兹技术研究进展 | 第21-25页 |
| 1.3.1 太赫兹源研究进展 | 第21-23页 |
| 1.3.2 太赫兹检测技术研究进展 | 第23-24页 |
| 1.3.3 太赫兹应用技术研究进展 | 第24-25页 |
| 1.4 太赫兹波的获得 | 第25-29页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第29-30页 |
| 第二章 GaN材料与耿氏二极管的理论基础 | 第30-42页 |
| 2.1 GaN材料的背景概述及其特点 | 第30-32页 |
| 2.2 耿氏二极管及其工作原理 | 第32-35页 |
| 2.3 耿氏二极管稳定振荡的参数要求 | 第35-37页 |
| 2.4 耿氏二极管的五种工作模式 | 第37-39页 |
| 2.5 太赫兹GaN基耿氏二极管及其研究现状 | 第39-42页 |
| 第三章 垂直结构GaN基太赫兹耿氏二极管的设计与仿真 | 第42-70页 |
| 3.1 仿真工具Silvaco-ATLAS简介 | 第42-43页 |
| 3.2 仿真中采用的模型及参数 | 第43-46页 |
| 3.3 GaN Notch层耿氏二极管的设计与仿真 | 第46-54页 |
| 3.3.1 GaN Notch层耿氏二极管的设计 | 第46-49页 |
| 3.3.2 GaN Notch层耿氏二极管的仿真 | 第49-54页 |
| 3.3.3 仿真结果分析 | 第54页 |
| 3.4 AlGaN Notch层GaN耿氏二极管的设计与仿真 | 第54-62页 |
| 3.4.1 AlGaN Notch层GaN耿氏二极管的设计 | 第54-56页 |
| 3.4.2 AlGaN Notch层GaN耿氏二极管的仿真 | 第56-61页 |
| 3.4.3 仿真结果分析 | 第61-62页 |
| 3.5 AlGaN/GaN层耿氏二极管的设计与仿真 | 第62-68页 |
| 3.5.1 AlGaN/GaN层耿氏二极管的设计 | 第62-63页 |
| 3.5.2 AlGaN/GaN层耿氏二极管的仿真 | 第63-68页 |
| 3.5.3 仿真结果分析 | 第68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 垂直结构GaN基太赫兹耿氏二极管的工艺研究 | 第70-94页 |
| 4.1 器件外延层材料的生长制备 | 第70-73页 |
| 4.1.1 GaN Notch层耿氏二极管外延层的制备 | 第70-72页 |
| 4.1.2 AlGaN Notch层耿氏二极管外延层的制备 | 第72-73页 |
| 4.2 器件样品的制备 | 第73-79页 |
| 4.2.1 器件制备工艺 | 第73页 |
| 4.2.2 版图设计 | 第73-76页 |
| 4.2.3 器件制备 | 第76-79页 |
| 4.3 Pad结构的器件样品测试 | 第79-90页 |
| 4.3.1 欧姆接触性能的测试方法 | 第79-81页 |
| 4.3.2 GaN Notch结构耿氏器件欧姆接触性能的测试与计算 | 第81-84页 |
| 4.3.3 AlGaN Notch结构耿氏器件欧姆接触性能的测试与计算 | 第84-87页 |
| 4.3.4 器件特性测试与分析 | 第87-90页 |
| 4.4 器件工艺制备的改进 | 第90-92页 |
| 4.5 本章小结 | 第92-94页 |
| 第五章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 5.1 总结 | 第94-95页 |
| 5.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 作者简介 | 第102-103页 |
