| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 SiC BJT的国内外研究背景 | 第11-15页 |
| 1.2.1 SiC材料的优势及研究趋势 | 第11-14页 |
| 1.2.2 SiC BJT的国外研究进展 | 第14-15页 |
| 1.2.3 SiC BJT的国内研究进展 | 第15页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 SiC BJT的特性分析 | 第17-25页 |
| 2.1 SiC BJT的基本结构 | 第17-18页 |
| 2.2 SiC BJT的静态特性分析 | 第18-21页 |
| 2.3 SiC BJT的动态特性分析 | 第21-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 SiC BJT智能驱动研究 | 第25-48页 |
| 3.1 SiC BJT驱动设计 | 第25-30页 |
| 3.1.1 SiC BJT的驱动损耗分析 | 第26页 |
| 3.1.2 SiC BJT单电平驱动 | 第26-27页 |
| 3.1.3 SiC BJT多电平驱动 | 第27-30页 |
| 3.2 SiC BJT智能驱动的研究背景 | 第30-34页 |
| 3.3 SiC BJT智能驱动研究 | 第34-38页 |
| 3.3.1 智能驱动的工作原理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 智能驱动的选型 | 第35-38页 |
| 3.4 实验现象及分析 | 第38-42页 |
| 3.5 SiC BJT智能驱动与SiC MOSFET损耗分析对比 | 第42-45页 |
| 3.6 实验总结及展望 | 第45-48页 |
| 第4章 高频SiC BJT变换器的设计 | 第48-64页 |
| 4.1 SiC在高温高频下的应用前景 | 第48-51页 |
| 4.1.1 SiC在高频条件下的应用 | 第48-49页 |
| 4.1.2 SiC在高温条件下的应用 | 第49-51页 |
| 4.2 高温高频变换器的设计 | 第51-57页 |
| 4.2.1 SiC BJT Boost电路的工作原理 | 第51-53页 |
| 4.2.2 SiC BJT Boost软开关仿真 | 第53-55页 |
| 4.2.3 散热器的设计 | 第55-57页 |
| 4.3 高频高温变换器实验结果及分析 | 第57-63页 |
| 4.3.1 SiC BJT实验结果及分析 | 第57-59页 |
| 4.3.2 SiC MOSFET实验结果及分析 | 第59-62页 |
| 4.3.3 SiC MOSFET与SiC BJT对比结果 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 总结与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 附录A 攻读学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
