摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-32页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 尖晶石结构材料 | 第13-15页 |
1.2.1 尖晶石结构分类 | 第13-14页 |
1.2.2 尖晶石结构特点 | 第14-15页 |
1.3 尖晶石氧化物的制备 | 第15-19页 |
1.3.1 固相合成方法 | 第16-17页 |
1.3.2 液相合成方法 | 第17-19页 |
1.3.3 气相合成方法 | 第19页 |
1.4 尖晶石氧化物的应用 | 第19-25页 |
1.4.1 ORR/OER(氧还原/析氧反应) | 第20-22页 |
1.4.2 磁学 | 第22页 |
1.4.3 电学 | 第22-24页 |
1.4.4 催化 | 第24-25页 |
1.4.5 光学 | 第25页 |
1.5 镓系尖晶石氧化物及其研究现状 | 第25-29页 |
1.6 本文主要研究内容 | 第29-32页 |
1.6.1 存在问题 | 第29页 |
1.6.2 研究内容 | 第29-32页 |
第二章 实验方法 | 第32-40页 |
2.1 实验试剂 | 第32页 |
2.2 实验设备 | 第32-34页 |
2.3 表征方法 | 第34-40页 |
2.3.1 扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM) | 第34页 |
2.3.2 透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM) | 第34-36页 |
2.3.3 X射线衍射仪(X-Ray Diffraaction,XRD) | 第36页 |
2.3.4 X射线光电子能谱分析仪(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS) | 第36-37页 |
2.3.5 拉曼光谱仪(Raman spectrometer, Raman) | 第37页 |
2.3.6 紫外-可见分光光度计(UV-vis spectrophotometer, UV-vis) | 第37页 |
2.3.7 荧光分光光度计(Fluorescence spectrophotometer, PL) | 第37-38页 |
2.3.8 阴极射线荧光光谱仪(Cathodoluminescence spectrometer, CL) | 第38页 |
2.3.9 原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM) | 第38-40页 |
第三章 2Dγ-Ga_2O_3纳米片的可控制备与光学性质研究 | 第40-64页 |
3.1 引言 | 第40-41页 |
3.2 实验部分 | 第41-42页 |
3.3 结果与讨论 | 第42-61页 |
3.3.1 实验参数对γ-Ga_2O_3纳米材料生长的影响 | 第42-54页 |
3.3.2 不同溶剂中的反应过程 | 第54-56页 |
3.3.3 γ-Ga_2O_3纳米结构的结合能研究 | 第56-58页 |
3.3.4 γ-Ga_2O_3纳米结构的光学性质 | 第58-61页 |
3.4 本章小结 | 第61-64页 |
第四章 水热法制备二维镓系尖晶石型氧化物纳米片 | 第64-88页 |
4.1 引言 | 第64-65页 |
4.2 实验部分 | 第65页 |
4.3 结果与讨论 | 第65-86页 |
4.3.1 ZnGa_2O_4纳米片结构、物相分析 | 第67-72页 |
4.3.2 MnGa_2O_4纳米片结构、相分析 | 第72-75页 |
4.3.3 尖晶石镓氧化物纳米片的结合能研究 | 第75-78页 |
4.3.4 尖晶石镓氧化物纳米片的生长过程 | 第78-83页 |
4.3.5 尖晶石镓氧化物纳米片的CL性质 | 第83-86页 |
4.4 本章小结 | 第86-88页 |
第五章 ZnGa_2O_4纳米片荧光粉的多波长调控 | 第88-108页 |
5.1 引言 | 第88-89页 |
5.2 实验部分 | 第89-90页 |
5.2.1 ZnGa_2O_4纳米片的退火处理 | 第89-90页 |
5.2.2 ZnGa_2O_4纳米片的掺杂 | 第90页 |
5.3 结果与讨论 | 第90-106页 |
5.3.1 退火对ZnGa_2O_4纳米片结构影响 | 第90-97页 |
5.3.2 退火前后各元素结合能的变化规律 | 第97-100页 |
5.3.3 退火对ZnGa_2O_4纳米片发光性质的影响 | 第100-103页 |
5.3.4 多色发光调控机理 | 第103-106页 |
5.4 本章小结 | 第106-108页 |
第六章 γ-Ga_2O_3纳米片应用:模板法制备2D GaN纳米片 | 第108-122页 |
6.1 引言 | 第108-109页 |
6.2 实验部分 | 第109页 |
6.3 结果与讨论 | 第109-120页 |
6.3.1 模板法制备GaN纳米片 | 第109-114页 |
6.3.2 GaN纳米片的生长过程 | 第114-117页 |
6.3.3 GaN纳米片的光学性质 | 第117-120页 |
6.4 本章小结 | 第120-122页 |
第七章 结论与展望 | 第122-126页 |
7.1 结论 | 第122-123页 |
7.2 展望 | 第123-126页 |
参考文献 | 第126-142页 |
致谢 | 第142-144页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第144-146页 |