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二维镓系尖晶石氧化物纳米材料的制备及其光学性质研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-32页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 尖晶石结构材料第13-15页
        1.2.1 尖晶石结构分类第13-14页
        1.2.2 尖晶石结构特点第14-15页
    1.3 尖晶石氧化物的制备第15-19页
        1.3.1 固相合成方法第16-17页
        1.3.2 液相合成方法第17-19页
        1.3.3 气相合成方法第19页
    1.4 尖晶石氧化物的应用第19-25页
        1.4.1 ORR/OER(氧还原/析氧反应)第20-22页
        1.4.2 磁学第22页
        1.4.3 电学第22-24页
        1.4.4 催化第24-25页
        1.4.5 光学第25页
    1.5 镓系尖晶石氧化物及其研究现状第25-29页
    1.6 本文主要研究内容第29-32页
        1.6.1 存在问题第29页
        1.6.2 研究内容第29-32页
第二章 实验方法第32-40页
    2.1 实验试剂第32页
    2.2 实验设备第32-34页
    2.3 表征方法第34-40页
        2.3.1 扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)第34页
        2.3.2 透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM)第34-36页
        2.3.3 X射线衍射仪(X-Ray Diffraaction,XRD)第36页
        2.3.4 X射线光电子能谱分析仪(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)第36-37页
        2.3.5 拉曼光谱仪(Raman spectrometer, Raman)第37页
        2.3.6 紫外-可见分光光度计(UV-vis spectrophotometer, UV-vis)第37页
        2.3.7 荧光分光光度计(Fluorescence spectrophotometer, PL)第37-38页
        2.3.8 阴极射线荧光光谱仪(Cathodoluminescence spectrometer, CL)第38页
        2.3.9 原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)第38-40页
第三章 2Dγ-Ga_2O_3纳米片的可控制备与光学性质研究第40-64页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 实验部分第41-42页
    3.3 结果与讨论第42-61页
        3.3.1 实验参数对γ-Ga_2O_3纳米材料生长的影响第42-54页
        3.3.2 不同溶剂中的反应过程第54-56页
        3.3.3 γ-Ga_2O_3纳米结构的结合能研究第56-58页
        3.3.4 γ-Ga_2O_3纳米结构的光学性质第58-61页
    3.4 本章小结第61-64页
第四章 水热法制备二维镓系尖晶石型氧化物纳米片第64-88页
    4.1 引言第64-65页
    4.2 实验部分第65页
    4.3 结果与讨论第65-86页
        4.3.1 ZnGa_2O_4纳米片结构、物相分析第67-72页
        4.3.2 MnGa_2O_4纳米片结构、相分析第72-75页
        4.3.3 尖晶石镓氧化物纳米片的结合能研究第75-78页
        4.3.4 尖晶石镓氧化物纳米片的生长过程第78-83页
        4.3.5 尖晶石镓氧化物纳米片的CL性质第83-86页
    4.4 本章小结第86-88页
第五章 ZnGa_2O_4纳米片荧光粉的多波长调控第88-108页
    5.1 引言第88-89页
    5.2 实验部分第89-90页
        5.2.1 ZnGa_2O_4纳米片的退火处理第89-90页
        5.2.2 ZnGa_2O_4纳米片的掺杂第90页
    5.3 结果与讨论第90-106页
        5.3.1 退火对ZnGa_2O_4纳米片结构影响第90-97页
        5.3.2 退火前后各元素结合能的变化规律第97-100页
        5.3.3 退火对ZnGa_2O_4纳米片发光性质的影响第100-103页
        5.3.4 多色发光调控机理第103-106页
    5.4 本章小结第106-108页
第六章 γ-Ga_2O_3纳米片应用:模板法制备2D GaN纳米片第108-122页
    6.1 引言第108-109页
    6.2 实验部分第109页
    6.3 结果与讨论第109-120页
        6.3.1 模板法制备GaN纳米片第109-114页
        6.3.2 GaN纳米片的生长过程第114-117页
        6.3.3 GaN纳米片的光学性质第117-120页
    6.4 本章小结第120-122页
第七章 结论与展望第122-126页
    7.1 结论第122-123页
    7.2 展望第123-126页
参考文献第126-142页
致谢第142-144页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第144-146页

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