| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 有机器件的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 酞菁系有机材料的简介 | 第12-14页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 有机半导体的基本理论 | 第15-23页 |
| 2.1 PN结二极管的交流特性 | 第15-17页 |
| 2.1.1 PN结二极管的频率特性 | 第15-16页 |
| 2.1.2 PN结二极管的交流等效电路 | 第16页 |
| 2.1.3 PN结二极管的电容-电压关系 | 第16-17页 |
| 2.2 有机器件的阈值电压与受陷电荷的释放机理 | 第17-19页 |
| 2.2.1 阈值电压的求解 | 第17-18页 |
| 2.2.2 受陷电荷的释放机理 | 第18-19页 |
| 2.3 金属和半导体接触 | 第19-20页 |
| 2.4 有机半导体材料的载流子传输 | 第20-22页 |
| 2.4.1 分子结构和堆叠方式 | 第20-21页 |
| 2.4.2 表面形貌 | 第21页 |
| 2.4.3 缺陷和杂质 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 酞菁系有机薄膜晶体管的制备 | 第23-33页 |
| 3.1 有机薄膜器件的制备过程 | 第24-27页 |
| 3.1.1 玻璃基板的处理 | 第24页 |
| 3.1.2 Cu源电极的制备 | 第24-26页 |
| 3.1.3 MPc有源层的制备 | 第26-27页 |
| 3.1.4 Al栅电极的制备 | 第27页 |
| 3.1.5 MPc有源层的制备 | 第27页 |
| 3.1.6 Cu漏电极的制备 | 第27页 |
| 3.2 金属电极材料的制备工艺 | 第27-28页 |
| 3.3 有机薄膜材料的制备工艺 | 第28-32页 |
| 3.3.1 有机薄膜的制备工艺 | 第28页 |
| 3.3.2 共混蒸镀有机薄膜的表面形态 | 第28-30页 |
| 3.3.3 共混蒸镀有机薄膜的厚度测试 | 第30页 |
| 3.3.4 共混蒸镀有机薄膜的吸收光谱 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 酞菁系共混蒸镀薄膜器件特性测试与分析 | 第33-55页 |
| 4.1 酞菁系共混蒸镀薄膜器件的工作机理 | 第33-35页 |
| 4.2 不同混合比例的共混蒸镀薄膜二极管的测试与对比分析 | 第35-37页 |
| 4.3 酞菁系单一型和混合型器件的特性测试与结果对比分析 | 第37-41页 |
| 4.3.1 酞菁系薄膜二极管的特性测试与结果对比分析 | 第37-39页 |
| 4.3.2 酞菁系薄膜晶体管的特性测试与结果对比分析 | 第39-41页 |
| 4.4 酞菁系共混蒸镀薄膜二极管的特性测试与结果分析 | 第41-46页 |
| 4.4.1 频率对共混蒸镀薄膜二极管性能的影响 | 第41-43页 |
| 4.4.2 共混蒸镀薄膜二极管的交流特性测试 | 第43-44页 |
| 4.4.3 共混蒸镀薄膜二极管的光电特性测试 | 第44-45页 |
| 4.4.4 共混蒸镀薄膜二极管的电容-电压特性测试 | 第45-46页 |
| 4.5 酞菁系共混蒸镀薄膜晶体管的特性测试与结果分析 | 第46-51页 |
| 4.5.1 共混蒸镀薄膜晶体管的静态特性测试与结果分析 | 第46-48页 |
| 4.5.2 共混蒸镀薄膜晶体管的特性参数计算与分析 | 第48-50页 |
| 4.5.3 共混蒸镀薄膜晶体管的迁移率 | 第50-51页 |
| 4.6 酞菁系共混蒸镀薄膜二极管的退化解析 | 第51-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
