| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 单层二硫化钼(MoS_2)材料研究概述 | 第9-11页 |
| 1.2.1 单层MoS_2材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 单层MoS_2的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.3 研究目的及主要内容 | 第11-13页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第11-12页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第13-23页 |
| 2.1 从绝热近似到单电子近似 | 第13-15页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第13-14页 |
| 2.1.2 单电子近似 | 第14-15页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第15-18页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15-16页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程及求解 | 第16-17页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第17-18页 |
| 2.3 晶体场理论与洪特耦合 | 第18-20页 |
| 2.3.1 晶体场理论 | 第18-19页 |
| 2.3.2 洪特规则 | 第19-20页 |
| 2.4 计算方法 | 第20-21页 |
| 2.5 计算软件简介 | 第21-23页 |
| 第三章 硫空位对单层MoS_2电子结构的影响 | 第23-27页 |
| 3.1 原始单层MoS_2电子结构的描述 | 第23-25页 |
| 3.2 空位掺杂后单层MoS_2的电子结构描述 | 第25-26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的磁性研究 | 第27-45页 |
| 4.1 计算模型及结构稳定性 | 第27-29页 |
| 4.2 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的磁性研究 | 第29-42页 |
| 4.2.1 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的磁性分析 | 第29-35页 |
| 4.2.2 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的自旋密度 | 第35-36页 |
| 4.2.3 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的居里温度的估算 | 第36页 |
| 4.2.4 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的态密度 | 第36-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-45页 |
| 第五章 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的光学性质的研究 | 第45-55页 |
| 5.1 本征及S空位单层MoS_2的光学性质的研究 | 第45-48页 |
| 5.1.1 本征及S空位单层MoS_2的介电函数的理论研究 | 第46-47页 |
| 5.1.2 本征及S空位单层MoS_2的吸收光谱的理论研究 | 第47-48页 |
| 5.2 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的光学性质的研究 | 第48-53页 |
| 5.2.1 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的介电函数的理论研究 | 第48-52页 |
| 5.2.2 第八族元素掺杂单层MoS_2结构的吸收光谱的理论研究 | 第52-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 硕士期间取得的科研成果 | 第65-66页 |
