Zn2Te3O8-30wt%TiTe3O8超低温烧结陶瓷性能及其薄膜电容研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 介质薄膜 | 第12-14页 |
| 1.2.1 介质薄膜种类与应用 | 第12-14页 |
| 1.2.2 薄膜制备方法 | 第14页 |
| 1.3 MIM电容 | 第14-19页 |
| 1.3.1 MIM电容性能要求 | 第15-17页 |
| 1.3.2 MIM电容研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3.3 MIM电容研究不足 | 第18-19页 |
| 1.4 低温烧结微波陶瓷材料 | 第19-21页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-33页 |
| 2.1 介质陶瓷的制备 | 第23-25页 |
| 2.1.1 粉料制备 | 第23页 |
| 2.1.2 造粒成型 | 第23-24页 |
| 2.1.3 排胶烧结 | 第24-25页 |
| 2.2 介质薄膜的制备方法 | 第25-28页 |
| 2.3 薄膜电极的制备方法 | 第28-30页 |
| 2.3.1 蒸发原理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 真空电阻蒸发设备 | 第29-30页 |
| 2.4 分析与表征 | 第30-33页 |
| 2.4.1 陶瓷微波性能测试 | 第30页 |
| 2.4.2 微结构分析与表征 | 第30-31页 |
| 2.4.3 薄膜介电性能测试 | 第31-33页 |
| 第三章 陶瓷材料制备 | 第33-43页 |
| 3.1 实验过程 | 第33-34页 |
| 3.1.1 陶瓷制备工艺 | 第33-34页 |
| 3.1.2 实验所用设备 | 第34页 |
| 3.2 微波陶瓷性能分析 | 第34-40页 |
| 3.2.1 陶瓷物性分析 | 第34-35页 |
| 3.2.2 陶瓷微结构分析 | 第35-39页 |
| 3.2.4 陶瓷微波性能分析 | 第39-40页 |
| 3.3 靶材制备 | 第40-42页 |
| 3.4 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 薄膜制备工艺研究 | 第43-59页 |
| 4.1 实验流程 | 第43-44页 |
| 4.2 基片选择 | 第44-45页 |
| 4.3 薄膜电容的制备 | 第45-46页 |
| 4.4 制备工艺研究结果 | 第46-57页 |
| 4.4.1 成膜时间 | 第46-47页 |
| 4.4.2 氧氩比 | 第47-50页 |
| 4.4.3 衬底温度 | 第50-51页 |
| 4.4.4 溅射功率 | 第51-53页 |
| 4.4.5 溅射气压 | 第53-54页 |
| 4.4.6 退火温度 | 第54-57页 |
| 4.5 小结 | 第57-59页 |
| 第五章 MIM电容电性能研究 | 第59-65页 |
| 5.1 电容密度与品质因数 | 第59-60页 |
| 5.2 电压特性及漏电流密度 | 第60-63页 |
| 5.3 频率特性 | 第63-64页 |
| 5.4 耐压特性 | 第64页 |
| 5.5 小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 结论 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |
