| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 铁电体材料简介 | 第10-12页 |
| 1.3 钛酸钡（BaTiO_3）材料的结构、性质及应用 | 第12-17页 |
| 1.3.1 BaTiO_3 基本性质与晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.3.2 BaTiO_3 的特性及其应用 | 第14-17页 |
| 1.4 钛酸钡（BaTiO_3）材料的发展历史及其研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 几种类型的存储器简介 | 第18-19页 |
| 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 钛酸钡（BTO）薄膜的制备及表征 | 第24-34页 |
| 2.1 脉冲激光沉积 | 第24-26页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积（PLD）系统 | 第24-25页 |
| 2.1.2 PLD 沉积薄膜的原理 | 第25-26页 |
| 2.2 其他薄膜制备方法及其比较 | 第26-27页 |
| 2.3 表征手段 | 第27-31页 |
| 2.3.1 X 射线衍射（XRD） | 第27-28页 |
| 2.3.2 压电力显微镜（PFM） | 第28-29页 |
| 2.3.3 电流源表 Keithley2400 简介 | 第29-30页 |
| 2.3.4 阻抗分析仪 Aglient 4294A 的简介 | 第30页 |
| 2.3.5 DLTS 深能级测试仪简介 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 Au/BTO/FTO 器件的制备及其负微分电阻效应 | 第34-46页 |
| 3.1 导电玻璃（FTO）衬底上生长 BTO 的多晶薄膜 | 第34-36页 |
| 3.1.1 衬底的选择及清洗 | 第34页 |
| 3.1.2 利用 PLD 设备生长 BTO 薄膜 | 第34-35页 |
| 3.1.3 样品的 XRD 表征 | 第35-36页 |
| 3.2 Au/BTO/FTO 异质结的阻变开关特性和负微分电阻（NDR）现象 | 第36-39页 |
| 3.2.1 Au/BTO/FTO 的 I-V 特性 | 第36-39页 |
| 3.3 Au/BTO/FTO 器件的开关循环性和保持性 | 第39-40页 |
| 3.4 实验现象分析 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第四章 时间效应对 Au/BTO/FTO 器件的负微分电阻效应的影响 | 第46-56页 |
| 4.1 仪器的选择和搭建 | 第46-47页 |
| 4.2 脉冲电压信号对 Au/BTO/FTO 器件的影响 | 第47-53页 |
| 4.2.1 阻变特性及其原因 | 第50-51页 |
| 4.2.2 器件 Au/BTO/FTO 由不同触发电压引起的多级阻变效应 | 第51-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第五章 不同氧压下的 BTO 薄膜的电学特性的比较和低温下该器件的 I-V 变化 | 第56-66页 |
| 5.1 不同的氧压对的 BTO 薄膜的影响 | 第56-58页 |
| 5.1.1 制备方法 | 第56-57页 |
| 5.1.2 I-V 测试 | 第57-58页 |
| 5.2 温度对的 BTO 薄膜电学性质的影响 | 第58-61页 |
| 5.2.1 仪器的选择 | 第58-60页 |
| 5.2.2 Au/BTO/FTO 的深能级谱 | 第60-61页 |
| 5.3 外延钛酸钡薄膜的制备 | 第61-63页 |
| 5.3.1 在 SrTiO_3（111）上生长外延的 BTO 薄膜 | 第61-62页 |
| 5.3.2 CAFM 和 PFM 图谱 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第70-71页 |
