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利用超高真空扫描隧道显微镜研究Si(3 3 7)-4×1结构的形成

摘要第6-7页
Abstract第7页
第一章 引言第14-21页
    1.1 研究目的及意义第14-15页
    1.2 Si(5 5 12)的表面结构第15-19页
    1.3 Si(3 3 7)的表面结构第19-21页
第二章 超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)的原理及实验方法第21-28页
    2.1 扫描隧道显微镜的原理及应用第21-25页
    2.2 实验方法及过程第25-28页
第三章 Si(3 3 7)结构的形成第28-48页
    3.1 高温加热Si(5 5 12)表面时形成的Si(3 3 7)-4×1结构第28-31页
    3.2 在Si(5 5 12)样品表面上吸附Ge时形成的Si(3 3 7)-4×1结构第31-35页
    3.3 大面积的Si(3 3 7)-4×1结构的形成与Si(5 5 12)样品表面的平均面方向的关系第35-36页
    3.4 在Si(5 5 12)样品表面上吸附C_2H_2气体时形成的Si(3 3 7)-4×1结构第36-46页
    3.5 在Si(5 5 12)样品表面上吸附O2气体时形成的Si(3 3 7)-4×1结构第46-48页
第四章 结论第48-49页
参考文献第49-53页
致谢第53-54页
附录A:攻读硕士期间发表的文章第54-55页

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