| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 氮化铜化合物及其衍生材料 | 第10-19页 |
| 1.1.1 氮化铜薄膜材料研究进展 | 第11-15页 |
| 1.1.2 金属掺杂氮化铜薄膜材料研究进展 | 第15-19页 |
| 1.2 锰基反钙钛矿结构化合物及其衍生材料 | 第19-35页 |
| 1.2.1 锰基反钙钛矿结构化合物块材料研究进展 | 第21-31页 |
| 1.2.2 锰基反钙钛矿结构化合物薄膜材料研究进展 | 第31-35页 |
| 第二章 实验原理与实验仪器 | 第35-45页 |
| 2.1 反钙钛矿薄膜的制备 | 第35-38页 |
| 2.2 反钙钛矿薄膜的表征与物性测量 | 第38-45页 |
| 第三章 铜基反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究 | 第45-63页 |
| 3.1 引言 | 第45-47页 |
| 3.2 金属掺杂Cu_3NMg_x反钙钛矿薄膜的制备与电输运特性研究 | 第47-55页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第47-48页 |
| 3.2.2 晶格结构 | 第48-49页 |
| 3.2.3 半导体电输运行为及机理 | 第49-53页 |
| 3.2.4 组分调制的光学带隙 | 第53-54页 |
| 3.2.5 本节总结 | 第54-55页 |
| 3.3 金属掺杂Cu_3NTa_x薄膜的制备与电输运特性研究 | 第55-63页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第55-56页 |
| 3.3.2 晶格结构、表面形貌及化学价态分析 | 第56-59页 |
| 3.3.3 电输运行为及光学带隙 | 第59-61页 |
| 3.3.4 本节总结 | 第61-63页 |
| 第四章 锰基反钙钛矿结构化合物薄膜的制备与物性研究 | 第63-95页 |
| 4.1 引言 | 第63-65页 |
| 4.2 Mn_3Mn_(1-x)Pd_xN反钙钛矿薄膜的金属-半导体转变和正磁阻效应 | 第65-75页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第65-66页 |
| 4.2.2 晶格结构 | 第66-68页 |
| 4.2.3 组分调制的金属-半导体转变以及正磁阻效应 | 第68-74页 |
| 4.2.4 本节总结 | 第74-75页 |
| 4.3 Mn_3Mn_(1-x)Au_xN反钙钛矿薄膜的低温区恒电阻特性 | 第75-79页 |
| 4.3.1 样品制备与晶格结构 | 第75-76页 |
| 4.3.2 低温区宽温域恒电阻行为 | 第76-79页 |
| 4.3.3 本节总结 | 第79页 |
| 4.4 Mn_3Mn_(1-x)Ni_xN反钙钛矿薄膜的金属-半导体转变和磁电耦合效应 | 第79-89页 |
| 4.4.1 样品制备 | 第79-80页 |
| 4.4.2 晶格结构 | 第80-81页 |
| 4.4.3 金属-半导体转变行为与磁电耦合效应 | 第81-89页 |
| 4.4.4 本节总结 | 第89页 |
| 4.5 富铜Mn_3CuN_y反钙钛矿薄膜的高温区恒电阻特性与磁电耦合效应 | 第89-95页 |
| 4.5.1 样品制备 | 第89-90页 |
| 4.5.2 晶格结构与表面形貌 | 第90-92页 |
| 4.5.3 高温区宽温域恒电阻行为及磁电耦合效应 | 第92-94页 |
| 4.5.4 本节总结 | 第94-95页 |
| 第五章 总结和展望 | 第95-100页 |
| 5.1 全篇总结 | 第95-98页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-112页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文和获奖情况 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
